| 1 | 2단계 원자층증착법에 의한 ＴａＮ 박막 증착방법 강상원, 2007-01-08 |
| 2 | A study on the step coverage modeling of thin films in atomic layer deposition = 원자층 증착법으로 형성된 박막의 단차 피복성 예측을 위한 모델링에 관한 연구link Kim, Ja-Yong; 김자용; et al, 한국과학기술원, 2007 |
| 3 | (A) study on $SrTiO_3$ thin films deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition for DRAM capacitor dielectric = PEALD법으로 증착된 DRAM capacitor 유전체용 $SrTiO_3$ 박막의 특성에 관한 연구link Ahn, Ji-Hoon; 안지훈; et al, 한국과학기술원, 2009 |
| 4 | (A) Study on Effects of Thickness and Preferred Orientation on Dielectric Constant of Hf-Aluminate Film Deposited by PEALD = PEALD법으로 증착된 Hf-Aluminate 박막의 두께와 우선배향성이 유전상수에 미치는 영향에 관한 연구link Moon, Hyoung-Seok; 문형석; et al, 한국과학기술원, 2008 |
| 5 | (A) study on plasma-enhanced atomic layer deposition of Ta-Si-O thin films = 탄탈륨 실리콘 산화막의 플라즈마 원자층 증착법에 관한 연구link Song, Hyun-Jung; 송현정; et al, 한국과학기술원, 2003 |
| 6 | (A) study on the $HfO_2/Al_2O_3$ nanolaminated thin film by plasma-enhanced atomic layer deposition = PEALD 법으로 증착된 $HfO_2/Al_2O_3$ 박막 증착 및 특성에 관한 연구link Cha, Eun-Soo; 차은수; et al, 한국과학기술원, 2005 |
| 7 | (A) study on the $La_2O_3$ and La-Al-O films deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition = PEALD 법을 이용한 $La_2O_3$ 및 La-Al-O 박막의 Gate 절연체 특성에 관한 연구link Kim, Ji-Hye; 김지혜; et al, 한국과학기술원, 2009 |
| 8 | (A) study on the $TiO_2/Al_2O_3$ thin film for DRAM capacitor dielectric by plasma-enhanced atomic layer deposition = PEALD 법을 이용한 $TiO_2/Al_2O_3$ 박막 증착 및 DRAM capacitor 절연체 특성에 관한 연구link Jeon, Woo-Jin; 전우진; et al, 한국과학기술원, 2007 |
| 9 | (A) study on the ald modeling for process design of multi-component thin films = 다성분계박막 공정설계를 위한 원자층증착법 모델링에 대한 연구link Chung, Hoi-Sung; 정회성; et al, 한국과학기술원, 2008 |
| 10 | (A) study on the atomic layer deposition mechanism and characteristics of Ti-N,Ti-Si-N films deposited by cycleCVD = Cycle-CVD 법으로 증착된 Ti-N, Ti-Si-N 박막의 ALD 증착기구와 특성에 관한 연구link Min, Jae-Sik; 민재식; et al, 한국과학기술원, 1999 |
| 11 | (A) study on the atomic layer deposition of Ir and $IrO_2$ thin films = Iridium과 Iridium Oxide 박막의 ALD 증착 및 특성에 관한 연구link Kim, Sung-Wook; 김성욱; et al, 한국과학기술원, 2007 |
| 12 | (A) study on the atomic layer deposition of Ru and $RuO_2$ thin films = Ruthenium과 ruthenium oxide 박막의 ALD 증착과 특성에 관한 연구link Kim, Jae-Hoon; 김재훈; et al, 한국과학기술원, 2003 |
| 13 | (A) study on the atomic layer deposition of Ti-Al-N thin films using plasmas = 플라즈마를 이용한 Ti-Al-N 박막의 원자층 증착법에 관한 연구link Lee, Yong-Ju; 이용주; et al, 한국과학기술원, 2003 |
| 14 | (A) study on the characteristics of TaN films deposited by ALD using hydrogen plasma = 수소 플라즈마를 이용한 ALD 법으로 증착된 TaN 박막 특성에 관한 연구link Lee, Min-Jung; 이민정; et al, 한국과학기술원, 2001 |
| 15 | (A) study on the characteristics on TiN films deposited by PEALD using $TiCl_4$ = PEALD법으로 증착된 TiN 박막 특성에 관한 연구link Kwon, Jung-Dae; 권정대; et al, 한국과학기술원, 2002 |
| 16 | (A) study on the deposition mechanism and characteristics of $Al_2O_3$ films deposited by atomic layer deposition using TMA and IPA = TMA와 IPA를 이용해 ALD법으로 증착된 $Al_2O_3$ 박막의 증착 기구와 특성에 관한 연구link Yang, Sung; 양성; et al, 한국과학기술원, 2000 |
| 17 | (A) study on the fabrication and characteristics of ruthenium nanocrystal formed by atomic layer deposition = 원자층 증착법을 이용한 루테늄 나노크리스탈의 증착과 전기적 특성에 관한 연구link Oh, Heung-Ryong; 오흥룡; et al, 한국과학기술원, 2008 |
| 18 | (A) study on the growth kinetic modeling for atomic layer deposition of multi-component thin films = 다성분계 박막의 ALD를 위한 박막성장의 동역학적 modeling에 관한 연구link Kim, Jin-Hyock; 김진혁; et al, 한국과학기술원, 2005 |
| 19 | (A) study on the kinetic model the thin film growth in ALD = ALD 박막 성장에 관한 동역학적 model 연구link Lim, Jung-Wook; 임정욱; et al, 한국과학기술원, 2001 |
| 20 | (A) study on the novel heating resistors based on the composite metal-oxides for inkjet printhead = 잉크젯 프린트 헤드를 위한 새로운 금속 산화물 기반의 발열체 특성에 관한 연구link Kwon, Se-hun; 권세훈; et al, 한국과학기술원, 2008 |
| 21 | (A) study on the plasma-enhanced atomic layer deposition of $SrTiO_3$ thin films = PEALD 법으로 증착된 $SrTiO_3$ 박막 증착 및 특성에 관한 연구link Kim, Ja-Yong; 김자용; et al, 한국과학기술원, 2003 |
| 22 | (A) study on the plasma-enhanced atomic layer deposition of RuTiN thin films = PEALD 법으로 증착된 RuTiN 박막 증착 및 특성에 관한 연구link Kwon, Se-Hoon; 권세훈; et al, 한국과학기술원, 2004 |
| 23 | (A) study on the plasma-enhanced atomic layer deposition of Ta-N, Ti-N and Ti-Si-N thin films = Ta-N, Ti-N, Ti-Si-N 확산방지막의 플라즈마를 이용한 원자층 증착법에 관한 연구link Park, Jin-Seong; 박진성; et al, 한국과학기술원, 2002 |
| 24 | (A) study on the plasma-enhanced atomic layer deposition of TaN thin films = Peald 법으로 증착된 TaN 박막 특성에 관한 연구link Chung, Hoi-Sung; 정회성; et al, 한국과학기술원, 2004 |
| 25 | (A) study on the ruthenium thin films formed by atomic layer deposition (ALD) = ALD 증착법으로 형성된 ruthenium 박막의 특성에 관한 연구link Kwon, Oh-Kyum; 권오겸; et al, 한국과학기술원, 2004 |
| 26 | (A) study on the two-step atomic layer deposition for TaN thin films = Two-step ALD 법을 이용한 TaN 박막 형성에 관한 연구link Kwon, Jung-Dae; 권정대; et al, 한국과학기술원, 2007 |
| 27 | (A) study on the ultra-thin copper film formation by chemical vapor deposition = CVD법을 이용한 ultra-thin 구리 박막 형성에 관한 연구link Kwak, Dong-Kee; 곽동기; et al, 한국과학기술원, 2007 |
| 28 | (A) study on uniformity of polishing rate in the chemical-mechanical polishing(CMP) of SiO2 thin film = 실리콘 산화막 CMP에서 연마속도 균일도 향상에 관한 연구link Kim, Jin-Hyuck; 김진혁; et al, 한국과학기술원, 2000 |
| 29 | a-step을 이용한 다결정 실리콘 빔의 잔류응력 기울기와 탄성계수 측정 방법 강상원, 한국재료학회 춘계학술발표대회, 1996 |
| 30 | ALD-TiN을 이용한 MOCVD Al박막의 표면 거칠기 개선에 관한 연구 = A study on the surface morphology improvement of MOCVD Al film using ALD-TiNlink 이현배; Lee, Hyun-Bae; et al, 한국과학기술원, 1999 |
| 31 | ALD와 PEALD를 이용한 $Al_2O_3$ 박막 증착에 관한 연구 = A study on the $Al_2O_3$ thin film deposition by ALD and PEALDlink 전우석; Jeon, Woo-Seok; et al, 한국과학기술원, 2003 |
| 32 | Bottom-up fill of submicron features in catalyst-enhanced chemical vapor deposition of copper = 촉매처리에 의한 Cu CECVD의 Bottom-up fill 현상에 관한 연구link Shim, Kew-Chan; 심규찬; et al, 한국과학기술원, 2001 |
| 33 | Buried Storage Capacitor under the Access Transistor(BUT) Cell for ULSI using Wafer Bonding Technology 강상원, 한국전자공학회, 한/미 마이크로일렉트로닉스 공동 워크샵, 1991 |
| 34 | Characterization of $TiO_2$ thin films formed by plasma enhanced atomic layer deposition = PEALD법을 이용한 $TiO_2$ 박막 증착 및 특성에 관한 연구link Park, Pan-Kwi; 박판귀; et al, 한국과학기술원, 2002 |
| 35 | CMP의 기계적 공정 변수가 반도체 표면 평탄화의 균일도에 미치는 영향 = A effect of the mechanical factors on the uniformity in the chemical-mechanical polishing(CMP) of $SiO_2$ thin filmlink 김우찬; Kim, Woo-Chan; et al, 한국과학기술원, 1996 |
| 36 | Cu Multilevel Metallization in ULSI Circuits 강상원, 제4회 한국반도체학술대회 논문집, pp.387 - 389, 1997 |
| 37 | Cycle-CVD 법으로 증착된 TiN 박막의 ALD 증착기구와 특성에 관한 연구 강상원, 한국재료학회지, v.8, no.5, pp.377 - 382, 1998-01 |
| 38 | Cycle-CVD법으로 증착된 TiN 박막의 ALD 증착기구와 특성에 관한 연구 강상원, 제5회 한국반도체학술대회 논문집, pp.329 - 330, 1998 |
| 39 | Cycle-CVD법을 이용한 tantalum oxide 원자층 단위 증착 및 특성에 관한 연구 = A study on atomic layer deposition and film characteristics of tantalum oxide using cycle-CVDlink 송현정; Song, Hyun-Jung; et al, 한국과학기술원, 1998 |
| 40 | Cyclic CVD 법으로 증착된 TiN 박막의 증착 기구와 특성에 관한 연구 = A study on deposition mechanism and characteristics of TiN thin films deposited by Cyclic CVDlink 손영웅; Sohn, Young-Woong; et al, 한국과학기술원, 1997 |
| 41 | Cyclic TiN CVD using TEMAT, Ar and NH3 강상원, 제4회 한국반도체학술대회 논문집, pp.417 - 419, 1997 |
| 42 | Deposition and characterization of Ti-Al-N thin films deposited by plasma-assisted atomic layer deposition 강상원, 한국진공학회 제23회 학술발표회, 한국진공학회, 2002-06 |
| 43 | Double SOI Wafer Fabrication by Wafer Bonding Technology 강상원, 한국전자공학회 1st SOI Workshop, 1990 |
| 44 | Dynamic Studies on the Formation of Voids in Wafer Bonding 강상원, 한국전자공학회, 92춘계전자공학회 논문집, 1992 |
| 45 | ECR-PECVD와 RF-PECVD법에 의해 증착된 TiN 박막의 특성비교 이원종; 전병혁; 김종석; 이응직; 백종태; 강상원, 한국요업학회 추계학술연구발표회 1994, pp.0 - 0, 1994-01-01 |
| 46 | ICBD법으로 증착된 AI 박막의 증착특성 연구 강상원, 한국결정성장학회지, v.7, no.2, pp.207 - 215, 1997-01 |
| 47 | Improved Electrical Properties of Mixed and Nanolaminated Ta2O5-SiO2 Thin Film Prepared by PEALD 강상원, 제 12회 반도체학술대회, pp.G18 -, 2004 |
| 48 | Kinetic model for cavity filling in CECVD of copper = 촉매 처리에 의한 구리 CECVD의 cavity filling 현상에 관한 모델link Lee, Hyun-Bae; 이현배; et al, 한국과학기술원, 2005 |
| 49 | MBE 방법으로 증착한 Si1-xGex 박막의 응력완화 강상원, 한국재료학회 춘계학술발표대회, 1996 |
| 50 | Measurement of Critical Thickness of Si1-xGex Heterostructures Grown by Silicon Molecular Beam Epitaxy : Comparison with Theoretical Models 강상원, 한국물리학회, 92추계물리학회, 1992 |
| 51 | Redistribution of Boron in Heavily Doped Silicon Grown by Silicon Molecular Beam Epitaxy : Dependence on Growth Temperature 강상원, 한국물리학회, 92추계물리학회, 1992 |
| 52 | RTA 공정 및 Trench 격리기술을 사용한 PSA 바이폴라 소자의 특성 연구 구용서; 강상원; 안철, 전자공학회논문지, v.28, no.A(9), pp.743, 1991 |
| 53 | SIlicon Direct Bonding(SDB) SOI nMOS 트랜지스터의 기생채널에 의한 누설전류 특성 강상원, 한국전자공학회, 합동학술발표회 논문집 제10호, 제1권, pp.189 -, 1992 |
| 54 | SIMOX 기판을 이용한 MOSFET의 제조 및 특성분석 강상원, 한국전자공학회 1st SOI Workshop, 1990 |
| 55 | SiO2위에 증착된 Si1-xGex 합금의 증착온도 변화에 따른 결정성 및 미세구조에 관한 연구 강상원, 한국재료학회지, v.4, no.4, pp.416 - 416, 1994-06 |
| 56 | $SiO2위에 증착된 Si1-xGex합금의 증착온도 변화에 따른 결정성 및 미세구조에 관한 연구 김홍승; 이정용; 이승창; 강상원, 한국재료학회지, v.4, no.4, pp.416 - 427, 1994-12 |
| 57 | Slurry thickness에 따른 CMP modeling에 관한 연구 = A study on the modeling of chemical-mechanical polishing (CMP) depending on slurry thicknesslink 김우찬; Kim, Woo-Chan; et al, 한국과학기술원, 2003 |
| 58 | SOI MOS 트랜지스터의 substrate floating 효과 강상원, 한국전자공학회 하계종합학술대회 논문집, 1990 |
| 59 | Studies on Microvoids at the Interface of Direct Bonded Silicon Wafers 강상원, 제2회 한국진공학회 학술발표회, 1992 |
| 60 | Ta(OC2H5)5와 NH3를 이용한 탄탈륨 산화막의 원자층 단위 증착 및 특성에 관한 연구 강상원, 한국진공학회 제14회 학술발표회 논문요약집, pp.75 - 76, 1998 |
