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19201
플라즈마 화학 증착법으로 제조된 P-doped μc-Si:H 박막의 특성 = Properties of phosphorus-doped μc-Si:H thin films by PECVDlink

이정노; Lee, Jeong-No; et al, 한국과학기술원, 1993

19202
플라즈마 화학 증착법으로 제조된 실리콘 산화물 박막의 대기중 응력 변화 거동에 관한 연구 = A study on the stress behavior in plasma-enhanced chemical vapor deposited silicon dioxide films exposed to airlink

박영수; Park, Young-Soo; et al, 한국과학기술원, 2000

19203
플라즈마 화학 증착법으로 제조한 P-doped α-Si:H 박막의 고상결정화 = Solid phase crystallization of P-doped α-Si:H films deposited by PECVDlink

이범주; Lee, Bum-Joo; et al, 한국과학기술원, 1995

19204
플라즈마 화학증착된 Aluminum oxide 박막의 $CF_4$와 $CC1_4$ 플라즈마에서의 Reactive ion etching 특성 = The $CF_4/CC1_4$ reactive ion etching properties of aluminum oxide films deposited by PECVDlink

김형석; Kim, Hyung-Suk; et al, 한국과학기술원, 1993

19205
플라즈마 화학증착된 TiN 박막의 분산분석에 의한 증착특성 및 기계적성질에 관한 연구 = A study on the deposition characteristics by analysis of variance and mechanical properties by plasma enhanced chemical vapor depositionlink

인치범; In, Chi-Bum; et al, 한국과학기술원, 1990

19206
플라즈마 화학증착법, 이온 플레이팅법 및 반응성 스퍼터링법에 의해 증착된 TiN 박막의 특성 비교 연구

안치범; 정병진; 이원종; 천성순, 한국세라믹학회지, v.31, no.7, pp.731 - 738, 1994-04

19207
플라즈마 화학증착법에 의하여 증착된 $TiO_2$ 박막의 반도체 및 전기화학적 성질에 대한 연구 = A study on the semiconductive and electrochemical properties of the $TiO_2$ films deposited by PECVD methodlink

양태현; Yang, Tae-Hyun; et al, 한국과학기술원, 1992

19208
플라즈마 화학증착법에 의하여 증착된 aluminum oxide 박막의 C-V 특성에 증착 변수가 미치는 영향 = The effect of deposition parameters on C-V characteristics of aluminum oxide thin films deposited by PECVDlink

김용천; Kim, Yong-Chun; et al, 한국과학기술원, 1990

19209
플라즈마 화학증착법에 의하여 증착된 Aluminum oxide 박막의 에칭 특성에 관한 연구 = A study on etching properties of aluminum oxide films deposited by plasma enhanced chemical vapor depositionlink

정진기; Jung, Jin-Ki; et al, 한국과학기술원, 1991

19210
플라즈마 화학증착법에 의하여 증착된 Aluminum oxide 절연박막의 특성에 관한 연구 = A study on the properties of the aluminum oxide dielectric films deposited by plasma enhanced chemical vapor depositionlink

강창진; Kang, Chang-Jin; et al, 한국과학기술원, 1990

19211
플라즈마 화학증착법에 의한 Ti(C,N)의 증착기구 및 증착층의 특성에 관한 연구 = A study on the deposition mechanism and structural properties of Ti(C,N) deposited by plasma enhanced chemical vapor depositionlink

김상호; Kim, Sang-Ho; et al, 한국과학기술원, 1989

19212
플라즈마 화학증착법에 의해 제조된 기억소자용 고유전 탄탈륨 산화박막에 관한 연구 = PECVD $Ta_2O_5$ dielectric thin films for memory deviceslink

김일; Kim, Il; et al, 한국과학기술원, 1995

19213
플라즈마 화학증착법에 의해 증착된 알루미늄 산화막의 증착 기구와 전기적 특성에 관한 연구 = A study on the deposition mechanism and the electrical properties of aluminum oxide films deposited by plasma enhanced chemical vapor depositionlink

김용천; Kim, Yong-Chun; et al, 한국과학기술원, 1993

19214
플라즈마 화학증착법에 의해 형성된 $TiO_2$ 박막을 통한 수소투과 거동에 관한 연구 = Hydrogen permeation through the $TiO_2$ film produced by plasma enhanced chemical vapor deposition methodlink

박진우; Park, Jin-Woo; et al, 한국과학기술원, 1993

19215
플라즈마 화학증착법으로 제조한 비정질 실리콘박막의 결정화 거동에 미치는 수소의 영향 = Hydrogen effects on the behavior of crystallization of amorphous silicon films prepared by plasma enhanced chemical vapor depositionlink

김해열; Kim, Hae-Yeol; et al, 한국과학기술원, 1995

19216
플라즈마 화학증착법으로 제조한 수소함유-비정질 탄화규소의 광학적 특성에 관한 연구 = A study on the characteristics of the optical properties of hydrogenated amorphous silicon carbide prepared by PECVDlink

박장호; Park, Jang-Ho; et al, 한국과학기술원, 1990

19217
플라즈마 화학증착법으로 제조한 수소화된 비정질 실리콘 (a-Si:H) 박막의 결정화 거동에 관한 연구 = A study on the behavior of crystallization of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) films prepared by plasma enhanced chemical vapor depositionlink

최재범; Choi, Jae-Beom; et al, 한국과학기술원, 1994

19218
플라즈마 화학증착법으로 제조한 수소화된 비정질 탄화규소의 증착 특성 및 물성에 관한 연구 = A study on the deposition characteristics and physical properties of hydrogenated amorphous silicon carbide films prepared by plasma enhanced CVDlink

박장호; Park, Jang-Ho; et al, 한국과학기술원, 1994

19219
플라즈마 화학증착법을 이용한 수소화된 비정질 및 미세결정질 실리콘 박막의 제조 = Deposition of a-Si:H and μc-Si:H thin films by PECVD methodlink

정병후; Jung, Byung-Hoo; et al, 한국과학기술원, 1992

19220
플라즈마 화학증착으로 제조한 수소함유 비정질 탄소의 증착기구와 특성의 상호관계에 관한 연구 = A study on the interrelation between deposition mechanism and characteristics of hydragenated amorphous carbon prepared by plasma chemical vapor depositionlink

김명현; Kim, Myong-Hyon; et al, 한국과학기술원, 1990

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