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Browse "MS-Theses_Master(석사논문)" by Author 박상희

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Showing results 1 to 23 of 23

1
(A) study of contact properties between Al-based source/drain and indium oxide active layer in top-gate bottom-contact structured thin-film transistors for vertical-TFT = 수직 채널 트랜지스터용 탑 게이트 하단 접촉 구조 박막 트랜지스터에서 알루미늄 기반 소스/드레인과 인듐 산화물 활성층 사이의 접촉 특성 연구link

Jeon, Sori; Park, Sang-Hee; et al, 한국과학기술원, 2020

2
(A) study of improving the reliability of low temperature dual-gate In-Ga-Zn-O TFTs for active matrix monolithic micro LED display = 능동 구동 단일체 마이크로 발광 다이오드 디스플레이를 위한 저온 이중 게이트 인듐-갈륨-아연 산화물 트랜지스터의 신뢰성 향상에 대한 연구link

Park, HyunWoo; Park, Sang-Hee; et al, 한국과학기술원, 2022

3
(A) study on active-matrix fiber-based pressure sensor with atomic layer deposition processed oxide thin-film diode = 원자층 증착법 기반의 산화물 박막 다이오드를 적용한 능동형 섬유형 압력센서 연구link

Kim, Joo Hyung; Park, Sang-Hee; et al, 한국과학기술원, 2021

4
(A) study on channel shortening effect of BCE structured oxide thin film transistor depending on the active and source/drain materials = 엑티브 및 소스/드레인 재료에 따른 백 채널 에치 구조 산화물 박막 트랜지스터의 채널 쇼트닝 효과에 대한 연구link

Kim, Seong-Jae; Park, Sang-Hee; et al, 한국과학기술원, 2019

5
(A) study on high mobility indium oxide thin films and thin-film transistors by means of plasma-enhanced atomic layer deposition = 플라즈마 원자층 증착법을 이용한 고이동도 인듐 산화물 박막 및 트랜지스터 특성 연구link

Yeom, Hye-In; 염혜인; et al, 한국과학기술원, 2016

6
(A) study on indium oxide thin-film transistors with high current through buffer layer engineering and trench structure = 트렌치 구조와 버퍼층 조절을 이용한 고 전류 인듐 산화물 박막 트랜지스터 연구link

Im, Young Jun; Park, Sang-Hee Ko; et al, 한국과학기술원, 2023

7
(A) study on suppression of channel-shortening effect of high-mobility thin film transistor using trench structure = 트렌치 구조의 적용을 통한 고이동도 산화물 박막 트랜지스터의 채널 쇼트닝 효과 억제에 대한 연구link

Kim, Jun Sung; Park, Sang-Hee; et al, 한국과학기술원, 2022

8
(A) study on the active and gate insulator processed by plasma-enhanced atomic layer deposition in oxide thin-film transistors for the High resolution display = 고해상도 디스플레이용 산화물 박막트랜지스터를 위한 플라즈마 원자층 증착법의 활성층과 절연층에 대한 연구link

Ko, Jong Beom; 고종범; et al, 한국과학기술원, 2016

9
(A) study on the characteristics of indium-aluminum-zinc oxide thin-film transistors according to aluminum content using plasma-enhanced atomic layer deposition = 플라즈마 원자층 증착법을 이용한 알루미늄 함량에 따른 인듐-알루미늄-아연 산화물 박막 트랜지스터의 특성 연구link

Woo, Namgyu; Park, Sang-Hee Ko; et al, 한국과학기술원, 2023

10
(A) study on the effect of aluminum on an indium-aluminum oxide semiconductors deposited by PEALD to control the electrical and structural characteristics = 전기적 및 구조적 특성 조정을 위한, 원자층 증착법으로 증착된 인듐-알루미늄 산화물 반도체에 함유되는 알루미늄의 역할에 대한 연구link

Mun, Geumbi; 문금비; et al, 한국과학기술원, 2016

11
(A) study on the effect of intrinsic film stress of Mo source/drain electrodes on electrical characteristics of Al doped In-Zn-Sn-O thin film transistors = 몰리브데늄 소스/드레인 전극의 박막 스트레스가 고이동도 인듐-아연-주석 산화물 박막 트랜지스터의 전기적 특성에 미치는 영향에 대한 연구link

Bae, Jaehan; Park, Sang-Hee; et al, 한국과학기술원, 2020

12
(A) study on the effects of the dry etching process on electrical characteristics of thin-film transistor in oxide thin-film transistor for the high resolution display = 고해상도 디스플레이용 산화물 박막트랜지스터에서 건식 식각 공정이 박막 트랜지스터의 전기적 특성에 미치는 영향에 대한 연구link

Choe, Joon Yong; Park, Sang-Hee; et al, 한국과학기술원, 2017

13
(A) study on the material, electrical and reliability properties of $Hf_{0.5}Zr_{0.5}O_2$ based ferroelectric devices with $RuO_2$ electrodes by atomic layer deposition = 원자층 증착법을 이용한 루테늄 옥사이드 산화물 전극에 따른 하프늄-지르코늄 옥사이드 기반 강유전체 소자의 물성 분석, 전기적 특성과 신뢰성 특성 연구link

Cho, Sung Hyun; Park, Sang Hee; et al, 한국과학기술원, 2019

14
(A) study on the performance of gate insulator for adopting low resistance electrode and application to high resolution, large-sized AMOLED panel = 고해상도 대면적 디스플레이용 산화물 박막트랜지스터를 위한 저저항 금속 배선 및 게이트 절연막에 관한 연구link

Kim, Yujin; Park, Sang-Hee; et al, 한국과학기술원, 2017

15
(A) study on vertical oxide thin-film transistor with solution-processed channel define layer = 용액 공정을 이용한 수직 채널 산화물 박막 트랜지스터 채널 디파인 레이어 연구link

Lee, Seung-Hee; Park, Sang-Hee; et al, 한국과학기술원, 2017

16
Al-doped In-Sn-Zn-O thin-film transistor with enhanced electrical properties via application of trench structure = 트렌치 구조의 적용을 통해 전기적 특성이 증진된 인듐-주석-아연 산화물 박막 트랜지스터link

Kim, Do Hyung; Park, Sang-Hee; et al, 한국과학기술원, 2021

17
Current regulation through change of semiconductor layer carrier injection in metal-oxide semiconductor-insulator-metal thin film rectifier diode = 금속-산화물반도체-절연체-금속 박막 정류 다이오드에서의 반도체 층 캐리어 주입 변화를 통한 전류 조절link

Han, Dong-Uk; Park, Sang-Hee; et al, 한국과학기술원, 2020

18
Effects of wet etchant on the Al-doped In-Sn-Zn-O thin-film transistors with Cu/Cu diffusion barrier source-drain = 고이동도 산화물 반도체 구리/구리 확산 방지 전극 박막트랜지스터에 대한 습식 식각액 영향 연구link

Kim, Daeho; Park, Sang-Hee; et al, 한국과학기술원, 2019

19
Hollow fiber based pressure – strain multiple signals sensor = 실관형 섬유 기반의 다 신호 방식 압력, 인장 센서link

Hur, Hyuk; Park, Sang-Hee; et al, 한국과학기술원, 2018

20
Investigation on the effects of Cu diffusion barrier material on the back-channel etched InGaZnO thin film transistors for large area high resolution LCD = 대면적 고해상도 액정 디스플레이를 위한 백채널 에치 인듐-갈륨-아연 산화물 박막 트랜지스터에 구리 확산 방지 물질이 미치는 영향에 관한 연구link

Shin, Jungcheol; Park, Sang-Hee; et al, 한국과학기술원, 2018

21
(The) properties of high mobility oxide TFT with indium-tin-zinc oxide active layer deposited by using electron cyclotron resonance sputtering method = 전자사이클로트론 공명 스퍼터로 증착한 고이동도 인듐-주석-아연 산화물 활성층 및 트랜지스터 특성link

Ahn, Jae Han; Park, Sang Hee; et al, 한국과학기술원, 2017

22
Thermo-calc를 이용한 듀플렉스 스테인리스강의 상평형 계산: $Cr_2$ N 상안정성과 석출속도에 미치는 nitrogen의 영향 = Calculation of phase equilibria of duplex stainless steels using thermo-calc : effects of nitrogen on the phase stability and kinetics of $Cr_2$ Nlink

박상희; Park, Sang-Hee; et al, 한국과학기술원, 2001

23
고이동도 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터용 소스-드레인 전극 물질과 구리 확산 방지 특성에 대한 연구 = A study on source-drain electrode material for high-mobility oxide thin-film transistors and its copper diffusion barrier propertylink

이광흠; Lee, Kwang-Heum; et al, 한국과학기술원, 2016

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