1 | Atomic and electronic structure of non-stoichiometric amorphous In-Ga-Zn-O semiconductors 한우현; 오영준; 장기주, 한국물리학회 가을 학술논문발표회, 한국물리학회, 2015-10 |
2 | Computational design of silicon allotropes with direct band gaps 오영준; 이인호; 이주영; 김성현; 장기주, 한국물리학회 봄 학술논문발표회, 한국물리학회, 2015-04 |
3 | Determination of the Schottky barrier height and effective work function at TiN/HfO2 interface 오영준; 노현균; 이태경; 장기주, 한국물리학회 가을 학술논문발표회, 한국물리학회, 2012-10 |
4 | Effect of interface Ge atoms on the segregation of B dopants in SiGe/SiO2 interface 이창휘; 오영준; 김근명; 장기주, 한국물리학회 가을 학술논문발표회, 한국물리학회, 2013-10 |
5 | Effect of oxygen-vacancy defects on the electronic structure of Ni/SiO2 and Ni/HfO2 interfaces 오영준; 노현균; 장기주, 한국물리학회 가을 학술논문발표회, 한국물리학회, 2011-10 |
6 | Electronic structure and diffusion of B dopants in SiGe/SiO2 interface 이창휘; 오영준; 김근명; 장기주, The 9th KIAS Electronic Structure Calculation Workshop, KIAS, 2013-06 |
7 | First-principles study of the electronic structure of lithium silicides 오영준; 류병기; 장기주, 한국물리학회 가을학술논문발표회, 한국물리학회, 2009-10 |
8 | Hybrid functional and quasiparticle calculations of the effective work function of TiN on HfO2 오영준; 이태경; 노현균; 장기주, The 9th KIAS Electronic Structure Calculation Workshop, KIAS, 2013-06 |
9 | Hybrid functional calculations for the capture process of electrons by oxygen interstitial defects in amorphous In-Ga-Zn-O semiconductors 한우현; 오영준; 장기주, 한국물리학회 가을 학술논문발표회, 한국물리학회, 2014-10 |
10 | Implementation of a Conformational Space Annealing Algorithm in Computational Search for Functional Meterials 김성현; 이인호; 이주영; 오영준; 장기주, 한국물리학회 봄 학술논문발표회, 한국물리학회, 2015-04 |
11 | Implementation of a Conformational Space Annealing Algorithm in Computational Serach for Functional Materials 김성현; 이인호; 이주영; 오영준; 장기주, The 11th KIAS Electronic Structure Calculation Workshop, KIAS, 2015-06-18 |
12 | Migration pathway and barrier for B diffusion at the interface between Si and SiO2 김근명; 오영준; 장기주, The 8th KIAS Electronic Structure Calculation Workshop, KIAS, 2012-06 |
13 | Migration pathway and barrier for B diffusion in defected interfaces between Si and alpha quartz SiO2 김근명; 오영준; 장기주, The 9th KIAS Electronic Structure Calculation Workshop, KIAS, 2013-06 |
14 | Quasiparticle GW calculations of the effective work function at TiN/HfO2 interface 오영준; 이태경; 노현균; 장기주, 한국물리학회 가을 학술논문발표회, 한국물리학회, 2013-10 |
15 | Schottky barrier height and effective work function in Ni/oxide interface: a density-functional study 노현균; 오영준; 이태경; 장기주, The 8th KIAS Electronic Structure Calculation Workshop, KIAS, 2012-06 |
16 | Schottky barrier height at TiN/HfO2 interface and B segregation mechanism at Si/SiO2 interface = TiN/HfO2 계면의 쇼트키 장벽과 Si/SiO2 계면의 붕소 확산 메카니즘 연구link Oh, Young Jun; 오영준; et al, 한국과학기술원, 2015 |
17 | Schottky barrier heights and effective work functions at various TiAlN/HfO2 interface 김근명; 오영준; 장기주, 한국물리학회 봄 학술논문발표회, 한국물리학회, 2015-04 |
18 | Searching for the diffusion pathway of boron at Si/SiO2 interface 김근명; 오영준; 장기주, 한국물리학회 봄 학술논문발표회, 한국물리학회, 2012-04-25 |
19 | Stability and segregation of boron dopants in the interface structure between Si and amorphous SiO2 오영준; 노현균; 장기주, 한국물리학회 가을 학술논문발표회 v. no. , 한국물리학회, 2011-10 |
20 | Stability of boron dopants at the interface between Si and amorphous SiO2 오영준; 노현균; 장기주, The 7th KIAS Electronic Structure Calculation Workshop, KIAS, 2011-06 |
21 | The Effect of Interface Defects on the Boron Diffusion Pathway and Migration Barrier at Si/SiO2 Interface 김근명; 오영준; 장기주, 한국물리학회 가을 학술논문발표회, 한국물리학회, 2013-10 |
22 | The effect of Si impurities on the Schottky barrier height and effective work function at TiN/t-HfO2 interface 김근명; 오영준; 장기주, 한국물리학회 가을 학술논문발표회, 한국물리학회, 2015-10 |
23 | The effects of C and F impurities on the Schottky barrier height at TiN/HfO2 interface 김근명; 오영준; 장기주, 한국물리학회 가을 학술논문발표회, 한국물리학회, 2014-10 |
24 | The efffect of Al impurities on the work function at metal/HfO2 interface 김근명; 오영준; 장기주, The 11th KIAS Electronic Structure Calculation Workshop, KIAS, 2015-06-18 |
25 | The electronic properties of oxygen interstitial defects in amorphous In-Ga-Zn-O semiconductors 한우현; 오영준; 장기주, The 10th KIAS Electronic Structure Calculation Workshop, KIAS, 2014-06 |
26 | The electronic properties of oxygen interstitial defects in amorphous In-Ga-Zn-O semiconductors 한우현; 오영준; 장기주, 한국물리학회 봄 학술논문발표회, 한국물리학회, 2014-04 |
27 | The electronic properties of oxygen-related defects in amorphous In-Ga-Zn-O semiconductor 한우현; 오영준; 장기주, 제 10회 강유전체연합 심포지엄, 강유전체연구회, 2014-02 |
28 | 초격자 구조의 실리콘 결정 및 이를 포함하는 전자 소자 장기주; 오영준; 김성현; 이인호; 이주영 |