RuO2 및 Pt 기판에서 PbTiO3 박막의 화학기상 증착특성에 관한 연구Deposition Characteristics of Lead Titanate Films on RuO2 and Pt Substrates Fabricated by Chemical Vapor Deposition
전자싸이클로트론공명-플라즈마 화학기상증착법으로 PbTiO₃박막을 증착하였다. RuO2 기판과 Pt 기판 위에 금속유기화합물 원료기체 유량 및 증착온도에 따라서 PbTiO₃박막의 증착특성을 연구하였다. RuO2 기판 위에서 Pt 기판에 비하여 Pb-oxide 분자의 잔류시간이 상대적으로 크고, 페로브스카이트 핵생성 밀도는 상대적으로 작으며, 단일한 페로브스카이트 상의 PbTiO₃ 박막을 얻을 수 있는 공정범위가 Pt 기판보다 좁았다. PbTiO₃ 박막 증착 전 Ti-oxide 씨앗층을 도입함으로써 RuO2 기판에서도 페로브스카이트 핵생성 밀도를 증가시켜 단일한 페로브스카이트 박막을 얻을 수 있는 공정범위가 확장되었다. PbTiO₃에서 Ti 성분을 Zr으로 일부 대체시킨 Pb(Zr,Ti)O₃(PZT) 박막의 경우에도 Ti-oxide 씨앗층을 도입함으로써 넓은 공정범위에서 단일한 페로브스카이트 PZT 박막을 RuO2기판 위에서도 제조할 수 있었다.
- Publisher
- 한국재료학회
- Issue Date
- 2000-04
- Language
- Korean
- Citation
한국재료학회지, v.10, no.4, pp.282 - 289
- ISSN
- 1225-0562
- Appears in Collection
- MS-Journal Papers(저널논문)
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