RuO2 및 Pt 기판에서 PbTiO3 박막의 화학기상 증착특성에 관한 연구Deposition Characteristics of Lead Titanate Films on RuO2 and Pt Substrates Fabricated by Chemical Vapor Deposition
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 정수옥 | ko |
| dc.contributor.author | 이원종 | ko |
| dc.date.accessioned | 2013-03-03T07:23:29Z | - |
| dc.date.available | 2013-03-03T07:23:29Z | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.issued | 2000-04 | - |
| dc.identifier.citation | 한국재료학회지, v.10, no.4, pp.282 - 289 | - |
| dc.identifier.issn | 1225-0562 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/77761 | - |
| dc.description.abstract | 전자싸이클로트론공명-플라즈마 화학기상증착법으로 PbTiO₃박막을 증착하였다. RuO2 기판과 Pt 기판 위에 금속유기화합물 원료기체 유량 및 증착온도에 따라서 PbTiO₃박막의 증착특성을 연구하였다. RuO2 기판 위에서 Pt 기판에 비하여 Pb-oxide 분자의 잔류시간이 상대적으로 크고, 페로브스카이트 핵생성 밀도는 상대적으로 작으며, 단일한 페로브스카이트 상의 PbTiO₃ 박막을 얻을 수 있는 공정범위가 Pt 기판보다 좁았다. PbTiO₃ 박막 증착 전 Ti-oxide 씨앗층을 도입함으로써 RuO2 기판에서도 페로브스카이트 핵생성 밀도를 증가시켜 단일한 페로브스카이트 박막을 얻을 수 있는 공정범위가 확장되었다. PbTiO₃에서 Ti 성분을 Zr으로 일부 대체시킨 Pb(Zr,Ti)O₃(PZT) 박막의 경우에도 Ti-oxide 씨앗층을 도입함으로써 넓은 공정범위에서 단일한 페로브스카이트 PZT 박막을 RuO2기판 위에서도 제조할 수 있었다. | - |
| dc.language | Korean | - |
| dc.publisher | 한국재료학회 | - |
| dc.title | RuO2 및 Pt 기판에서 PbTiO3 박막의 화학기상 증착특성에 관한 연구 | - |
| dc.title.alternative | Deposition Characteristics of Lead Titanate Films on RuO2 and Pt Substrates Fabricated by Chemical Vapor Deposition | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.citation.volume | 10 | - |
| dc.citation.issue | 4 | - |
| dc.citation.beginningpage | 282 | - |
| dc.citation.endingpage | 289 | - |
| dc.citation.publicationname | 한국재료학회지 | - |
| dc.contributor.localauthor | 이원종 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 정수옥 | - |
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