스트레인드 채널 성장 구조, 및 그를 이용한 스트레인드 채널 및 소자 제조 방법GROWTH STRUCTURE FOR STRAINED CHANNEL, AND METHODS FOR MANUFACTURING STRAINED CHANNEL AND DEVICE USING THE SAME
다양한 실시예들은 스트레인드 채널 성장 구조, 및 그를 이용한 스트레인드 채널 및 소자 제조 방법에 관한 것으로, 스트레인드 채널 성장 구조는 지지 기판, 지지 기판 상에 배치되는 스트레인-완화층, 스트레인-완화층 상에 일 조성을 갖도록 성장되는 베이스 성장층, 및 베이스 성장층 상에 다른 조성을 갖도록 성장되는 스트레인드 채널층을 포함하고, 스트레인드 채널층은, 인장-스트레인드 채널층 또는 압축-스트레인드 채널층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2021-01-04
- Application Number
- 10-2021-0000429
- Registration Date
- 2022-09-20
- Registration Number
- 10-2446604-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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