스트레인드 채널 성장 구조, 및 그를 이용한 스트레인드 채널 및 소자 제조 방법GROWTH STRUCTURE FOR STRAINED CHANNEL, AND METHODS FOR MANUFACTURING STRAINED CHANNEL AND DEVICE USING THE SAME

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dc.contributor.author김상현ko
dc.contributor.author임형락ko
dc.date.accessioned2024-02-19T05:00:18Z-
dc.date.available2024-02-19T05:00:18Z-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/318109-
dc.description.abstract다양한 실시예들은 스트레인드 채널 성장 구조, 및 그를 이용한 스트레인드 채널 및 소자 제조 방법에 관한 것으로, 스트레인드 채널 성장 구조는 지지 기판, 지지 기판 상에 배치되는 스트레인-완화층, 스트레인-완화층 상에 일 조성을 갖도록 성장되는 베이스 성장층, 및 베이스 성장층 상에 다른 조성을 갖도록 성장되는 스트레인드 채널층을 포함하고, 스트레인드 채널층은, 인장-스트레인드 채널층 또는 압축-스트레인드 채널층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.-
dc.title스트레인드 채널 성장 구조, 및 그를 이용한 스트레인드 채널 및 소자 제조 방법-
dc.title.alternativeGROWTH STRUCTURE FOR STRAINED CHANNEL, AND METHODS FOR MANUFACTURING STRAINED CHANNEL AND DEVICE USING THE SAME-
dc.typePatent-
dc.type.rimsPAT-
dc.contributor.localauthor김상현-
dc.contributor.assignee한국과학기술원-
dc.identifier.iprsType특허-
dc.identifier.patentApplicationNumber10-2021-0000429-
dc.identifier.patentRegistrationNumber10-2446604-0000-
dc.date.application2021-01-04-
dc.date.registration2022-09-20-
dc.publisher.countryKO-
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EE-Patent(특허)
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