DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 김상현 | ko |
dc.contributor.author | 임형락 | ko |
dc.date.accessioned | 2024-02-19T05:00:18Z | - |
dc.date.available | 2024-02-19T05:00:18Z | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/318109 | - |
dc.description.abstract | 다양한 실시예들은 스트레인드 채널 성장 구조, 및 그를 이용한 스트레인드 채널 및 소자 제조 방법에 관한 것으로, 스트레인드 채널 성장 구조는 지지 기판, 지지 기판 상에 배치되는 스트레인-완화층, 스트레인-완화층 상에 일 조성을 갖도록 성장되는 베이스 성장층, 및 베이스 성장층 상에 다른 조성을 갖도록 성장되는 스트레인드 채널층을 포함하고, 스트레인드 채널층은, 인장-스트레인드 채널층 또는 압축-스트레인드 채널층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. | - |
dc.title | 스트레인드 채널 성장 구조, 및 그를 이용한 스트레인드 채널 및 소자 제조 방법 | - |
dc.title.alternative | GROWTH STRUCTURE FOR STRAINED CHANNEL, AND METHODS FOR MANUFACTURING STRAINED CHANNEL AND DEVICE USING THE SAME | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 김상현 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2021-0000429 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2446604-0000 | - |
dc.date.application | 2021-01-04 | - |
dc.date.registration | 2022-09-20 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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