본 발명은 오실레이터 동작이 가능한 단일 트랜지스터 및 이를 이용한 온도 센서에 관한 것으로서, 기판 상에 형성되며, 정공 배리어 물질을 포함하는 정공 배리어 물질층, 상기 정공 배리어 물질층 상에 형성되는 부유 바디층(floating body), 상기 부유 바디층의 양측에 형성되는 소스 및 드레인, 상기 부유 바디층 상에 형성되는 게이트 절연막 및 상기 게이트 절연막 상에 형성되는 게이트를 포함하며, 상기 부유 바디층에 저장되는 전하의 양이 임계치 이상이 되면, 상기 소스 및 상기 드레인에서 스파이크 형태의 전압 신호를 방출하는 것을 특징으로 한다.