DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 최양규 | ko |
dc.contributor.author | 이문우 | ko |
dc.contributor.author | 한준규 | ko |
dc.date.accessioned | 2023-03-14T09:14:36Z | - |
dc.date.available | 2023-03-14T09:14:36Z | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/305614 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 오실레이터 동작이 가능한 단일 트랜지스터 및 이를 이용한 온도 센서에 관한 것으로서, 기판 상에 형성되며, 정공 배리어 물질을 포함하는 정공 배리어 물질층, 상기 정공 배리어 물질층 상에 형성되는 부유 바디층(floating body), 상기 부유 바디층의 양측에 형성되는 소스 및 드레인, 상기 부유 바디층 상에 형성되는 게이트 절연막 및 상기 게이트 절연막 상에 형성되는 게이트를 포함하며, 상기 부유 바디층에 저장되는 전하의 양이 임계치 이상이 되면, 상기 소스 및 상기 드레인에서 스파이크 형태의 전압 신호를 방출하는 것을 특징으로 한다. | - |
dc.title | 오실레이터 동작이 가능한 단일 트랜지스터 및 이를 이용한 온도 센서 | - |
dc.title.alternative | SINGLE TRANSISTOR CAPABLE OF OSCILLATOR OPERATION AND TEMPERATURE SENSOR USING IT | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2021-0057000 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2506201-0000 | - |
dc.date.application | 2021-05-03 | - |
dc.date.registration | 2023-02-28 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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