채널 폭을 증가시킨 구조의 트랜지스터 및 그 제조 방법TRANSISTOR WITH INCREASED CHANNEL WIDTH AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
채널 폭을 증가시킨 구조의 트랜지스터 및 그 제조 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 트랜지스터는, 기판 상에 수직 방향으로 연장 형성된 채 수평 방향으로 돌출된 적어도 하나의 돌출부 및 만입된 적어도 하나의 만입부를 포함하는 채널; 상기 채널의 일부분을 감싸도록 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 게이트; 및 상기 게이트의 양측에 대향되며 배치된 채 상기 채널의 일부분을 감싸도록 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 소스 및 드레인을 포함할 수 있다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2021-04-30
- Application Number
- 10-2021-0056170
- Registration Date
- 2023-02-01
- Registration Number
- 10-2496323-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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