채널 폭을 증가시킨 구조의 트랜지스터 및 그 제조 방법TRANSISTOR WITH INCREASED CHANNEL WIDTH AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 전상훈 | ko |
| dc.date.accessioned | 2023-02-09T09:01:40Z | - |
| dc.date.available | 2023-02-09T09:01:40Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/305112 | - |
| dc.description.abstract | 채널 폭을 증가시킨 구조의 트랜지스터 및 그 제조 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 트랜지스터는, 기판 상에 수직 방향으로 연장 형성된 채 수평 방향으로 돌출된 적어도 하나의 돌출부 및 만입된 적어도 하나의 만입부를 포함하는 채널; 상기 채널의 일부분을 감싸도록 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 게이트; 및 상기 게이트의 양측에 대향되며 배치된 채 상기 채널의 일부분을 감싸도록 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 소스 및 드레인을 포함할 수 있다. | - |
| dc.title | 채널 폭을 증가시킨 구조의 트랜지스터 및 그 제조 방법 | - |
| dc.title.alternative | TRANSISTOR WITH INCREASED CHANNEL WIDTH AND MANUFACTURING METHOD THEREOF | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 전상훈 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2021-0056170 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2496323-0000 | - |
| dc.date.application | 2021-04-30 | - |
| dc.date.registration | 2023-02-01 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.