박막 트랜지스터THIN FILM TRANSISTOR
본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터는 기판, 상기 기판 상의 소스 전극, 상기 기판 상에 배치되고, 상기 소스 전극의 상면의 일부를 덮는 절연패턴, 상기 절연패턴 상의 드레인 전극, 상기 절연패턴의 측면 및 상기 드레인 전극의 측면 상에 배치되는 스페이서, 상기 스페이서의 표면 상에 배치되고, 상기 드레인 전극으로부터 상기 소스 전극으로 연장되는 활성층 및 상기 활성층 상의 게이트 전극을 포함할 수 있다.
- Assignee
- 한국전자통신연구원,한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2017-11-09
- Application Number
- 10-2017-0148977
- Registration Date
- 2022-06-17
- Registration Number
- 10-2412069-0000
- Appears in Collection
- MS-Patent(특허)
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