박막 트랜지스터THIN FILM TRANSISTOR
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 박상희 | ko |
| dc.contributor.author | 황치선 | ko |
| dc.contributor.author | 최지훈 | ko |
| dc.date.accessioned | 2022-08-03T10:00:52Z | - |
| dc.date.available | 2022-08-03T10:00:52Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/297715 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터는 기판, 상기 기판 상의 소스 전극, 상기 기판 상에 배치되고, 상기 소스 전극의 상면의 일부를 덮는 절연패턴, 상기 절연패턴 상의 드레인 전극, 상기 절연패턴의 측면 및 상기 드레인 전극의 측면 상에 배치되는 스페이서, 상기 스페이서의 표면 상에 배치되고, 상기 드레인 전극으로부터 상기 소스 전극으로 연장되는 활성층 및 상기 활성층 상의 게이트 전극을 포함할 수 있다. | - |
| dc.title | 박막 트랜지스터 | - |
| dc.title.alternative | THIN FILM TRANSISTOR | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 박상희 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 황치선 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 최지훈 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국전자통신연구원,한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2017-0148977 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2412069-0000 | - |
| dc.date.application | 2017-11-09 | - |
| dc.date.registration | 2022-06-17 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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