스팁-슬롭 전계 효과 트랜지스터와 그 제조 방법STEEP-SLOPE FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD
스팁-슬롭 전계 효과 트랜지스터와 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 스팁-슬롭 전계 효과 트랜지스터는 기판 상에 형성되는 소스, 채널 영역과 드레인; 상기 채널 영역 상부에 형성되는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상부에 형성되는 플로팅 게이트; 상기 플로팅 게이트 상부에 형성되는 전이층; 및 상기 전이층 상부에 형성되는 컨트롤 게이트를 포함하고, 상기 스팁-슬롭 전계 효과 트랜지스터는 상기 컨트롤 게이트에 기준 전위 이상을 인가하여 상기 플로팅 게이트에 저장된 적어도 하나의 전하를 방출 또는 반입시킬 수 있다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2020-08-05
- Application Number
- 10-2020-0098003
- Registration Date
- 2022-02-28
- Registration Number
- 10-2370148-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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