DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 최양규 | ko |
dc.contributor.author | 김명수 | ko |
dc.date.accessioned | 2022-04-13T07:19:38Z | - |
dc.date.available | 2022-04-13T07:19:38Z | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/292714 | - |
dc.description.abstract | 스팁-슬롭 전계 효과 트랜지스터와 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 스팁-슬롭 전계 효과 트랜지스터는 기판 상에 형성되는 소스, 채널 영역과 드레인; 상기 채널 영역 상부에 형성되는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상부에 형성되는 플로팅 게이트; 상기 플로팅 게이트 상부에 형성되는 전이층; 및 상기 전이층 상부에 형성되는 컨트롤 게이트를 포함하고, 상기 스팁-슬롭 전계 효과 트랜지스터는 상기 컨트롤 게이트에 기준 전위 이상을 인가하여 상기 플로팅 게이트에 저장된 적어도 하나의 전하를 방출 또는 반입시킬 수 있다. | - |
dc.title | 스팁-슬롭 전계 효과 트랜지스터와 그 제조 방법 | - |
dc.title.alternative | STEEP-SLOPE FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 김명수 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2020-0098003 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2370148-0000 | - |
dc.date.application | 2020-08-05 | - |
dc.date.registration | 2022-02-28 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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