뉴로모픽 시스템에서 뉴런 동작을 수행하는 수직형 트랜지스터의 구조와 동작 방법 및 이를 이용한 뉴로모픽 시스템structure and operation method of vertical-type transistor acting as a neuron in neuromorphic system, and a neuromorphic system using it
본 발명은 나노선 형태의 부유 바디층이 수직으로 형성된 수직형 트랜지스터에 전하를 저장 및 방출하여 뉴런의 스파이크 동작을 구현하는 수직형 트랜지스터의 구조와 동작 방법 및 이를 이용한 뉴로모픽 시스템에 관한 것으로, 기판 상에 수직으로 형성된 수직 나노선(nanowire) 형태의 부유 바디층, 상기 부유 바디층 상하에 형성되는 소스 및 드레인, 상기 소스 상에 형성되어 상기 부유 바디층을 둘러싸는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막의 외곽에 형성되는 게이트 및 상기 소스, 상기 드레인 및 상기 게이트에 접촉되어 전기적 신호를 입력 또는 출력하는 컨택 메탈을 포함한다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2020-06-05
- Application Number
- 10-2020-0067970
- Registration Date
- 2022-03-10
- Registration Number
- 10-2374300-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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