뉴로모픽 시스템에서 뉴런 동작을 수행하는 수직형 트랜지스터의 구조와 동작 방법 및 이를 이용한 뉴로모픽 시스템structure and operation method of vertical-type transistor acting as a neuron in neuromorphic system, and a neuromorphic system using it
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최양규 | ko |
| dc.contributor.author | 한준규 | ko |
| dc.date.accessioned | 2022-04-13T07:19:12Z | - |
| dc.date.available | 2022-04-13T07:19:12Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/292706 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 나노선 형태의 부유 바디층이 수직으로 형성된 수직형 트랜지스터에 전하를 저장 및 방출하여 뉴런의 스파이크 동작을 구현하는 수직형 트랜지스터의 구조와 동작 방법 및 이를 이용한 뉴로모픽 시스템에 관한 것으로, 기판 상에 수직으로 형성된 수직 나노선(nanowire) 형태의 부유 바디층, 상기 부유 바디층 상하에 형성되는 소스 및 드레인, 상기 소스 상에 형성되어 상기 부유 바디층을 둘러싸는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막의 외곽에 형성되는 게이트 및 상기 소스, 상기 드레인 및 상기 게이트에 접촉되어 전기적 신호를 입력 또는 출력하는 컨택 메탈을 포함한다. | - |
| dc.title | 뉴로모픽 시스템에서 뉴런 동작을 수행하는 수직형 트랜지스터의 구조와 동작 방법 및 이를 이용한 뉴로모픽 시스템 | - |
| dc.title.alternative | structure and operation method of vertical-type transistor acting as a neuron in neuromorphic system, and a neuromorphic system using it | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 한준규 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2020-0067970 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2374300-0000 | - |
| dc.date.application | 2020-06-05 | - |
| dc.date.registration | 2022-03-10 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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