폴리 실리콘 이미터 층이 삽입된 2-단자 바이리스터 및 그 제조 방법TWO-TERMINAL BIRISTOR WITH POLY-CRYSTALLINE SILICON EMITTER ELECTRODE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF
폴리 실리콘 이미터 층이 삽입된 2-단자 바이리스터 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 2-단자 바이리스터 제조 방법은 기판 상에 제1 타입의 제1 반도체 층을 형성하는 단계; 상기 제1 반도체 층 상부에 제2 타입의 제2 반도체 층을 형성하는 단계; 상기 제2 반도체 층 상부에 제1 타입의 제3 반도체 층을 형성하는 단계; 및 상기 제3 반도체 층 상부에 제1 타입의 폴리 실리콘 층을 형성하는 단계를 포함한다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2019-08-19
- Application Number
- 10-2019-0101115
- Registration Date
- 2021-02-19
- Registration Number
- 10-2220032-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.