다층 박막 분석법을 이용한 반도체 다층 소자의 비 파괴적인 검사 방법 = Nondestructive inspection method of multi-layer semiconductor devices using multi-layer thin film analysis

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삼차원 낸드 플래시 메모리는 기존의 이차원 플래시 메모리와 비교하여 에너지 효율이 높고 더 많은 저장 용량을 갖는다. 본 연구의 목적은 삼차원 낸드 플래시 메모리를 공정하는 과정에서 반도체 다층 구조의 각 층 두께를 비 파괴적인 방법으로 검사하는 것이다. 다층 박막 구조의 측정에 사용되는 반사율 측정법과 타원 계측법을 반도체 소자의 측정에도 적용하였다. 또한 반도체 소자의 측정 데이터 값을 이용하여 각 층의 두께를 검사할 수 있는 알고리즘을 만들었다. 알고리즘은 딥 뉴럴 네트워크(deep neural network, DNN) 구조를 이용하여 각 층의 두께를 예측하는 회귀 모델(regression model)로 설계하였다. 이러한 알고리즘이 실제 공정 과정에 적용되어 공정 효율을 높이고 제품의 양/불량 판정에 도움이 될 것으로 기대한다.
Advisors
김정원researcherKim, Jungwonresearcher
Description
한국과학기술원 :기계공학과,
Publisher
한국과학기술원
Issue Date
2018
Identifier
325007
Language
kor
Description

학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 기계공학과, 2018.2,[iii, 31 p. :]

Keywords

삼차원 낸드 플래시 메모리▼a반사율 측정법▼a타원 계측법▼a딥 뉴럴 네트워크; 3D NAND flash memory▼aReflectometry▼aEllipsometry▼aDeep neural network

URI
http://hdl.handle.net/10203/265836
Link
http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=733702&flag=dissertation
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ME-Theses_Master(석사논문)
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