무전해 도금법을 이용한 고속구리배선 칩 접속용 범프 및 ＵＢＭ 형성방법(The Method for Preparation of Flip chip Bump and UBM for High speed Copper Interconnect Chip Using Electroless Plating Method)
본 발명은 고속구리배선 칩 접속용 플립칩 범프(Bump) 및 UBM(Under Bump Metallurgy) 형성방법에 관한 것으로서 보다 상세하게는 구리(Cu) 입출력(I/O)패드위에 무전해 구리도금과 무전해 니켈도금 공정을 연속으로 수행하여 이루어진 구리/니켈 또는 구리/니켈/구리 등의 플립칩 범프 및 UBM 형성방법에 관한 것이다. 본 발명은 고속구리배선 칩에 플립칩 범프 또는 UBM를 형성하는 데에 있어서 구리 배선 칩의 무전해 구리/니켈 범프는 무전해 구리 도금과 무전해 니켈 도금을 함께 도입함으로써 무전해 구리 도금의 장점인 구리 칩 패드와의 우수한 선택성 및 접착력과 무전해 니켈 도금의 장점인 빠른 도금 속도를 모두 갖추고 있다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2002-07-04
- Application Date
- 1999-11-06
- Application Number
- 10-1999-0049093
- Registration Date
- 2002-07-04
- Registration Number
- 10-0345035-0000
- Appears in Collection
- MS-Patent(특허)
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