융합 메모리 소자, 융합 메모리 소자의 제조방법 및 동작방법UNIFIED RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE, MANUFACTURING METHOD AND OPERATING METHOD OF UNIFIED RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE
본 발명은 융합 메모리 소자, 융합 메모리 소자의 제조방법 및 동작방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 융합 메모리 소자는, 반도체 기판, 반도체 기판 상에 형성된 정공포위층, 정공포위층의 소정의 영역 상에 형성된 부유바디층, 부유바디층 상에 형성된 게이트절연층, 게이트절연층 상에 형성된 제 1게이트, 제 1게이트 상에 형성된 저항변화물질층, 저항변화물질층 상에 형성된 제 2게이트, 정공포위층 상이고, 부유바디의 양 측에 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인을 포함한다. 비휘발성 메모리(Non-Volatile Memory), 커패시터리스 디램(Capacitorless DRAM), RRAM(Resistance Random Access Memory), 융합메모리(URAM; Unified Random Access Memory)
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2010-11-26
- Application Date
- 2008-12-08
- Application Number
- 10-2008-0123751
- Registration Date
- 2010-11-26
- Registration Number
- 10-0997906-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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