DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 최양규 | ko |
dc.contributor.author | 김성호 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-20T01:03:11Z | - |
dc.date.available | 2017-12-20T01:03:11Z | - |
dc.date.issued | 2010-11-26 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/229138 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 융합 메모리 소자, 융합 메모리 소자의 제조방법 및 동작방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 융합 메모리 소자는, 반도체 기판, 반도체 기판 상에 형성된 정공포위층, 정공포위층의 소정의 영역 상에 형성된 부유바디층, 부유바디층 상에 형성된 게이트절연층, 게이트절연층 상에 형성된 제 1게이트, 제 1게이트 상에 형성된 저항변화물질층, 저항변화물질층 상에 형성된 제 2게이트, 정공포위층 상이고, 부유바디의 양 측에 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인을 포함한다. 비휘발성 메모리(Non-Volatile Memory), 커패시터리스 디램(Capacitorless DRAM), RRAM(Resistance Random Access Memory), 융합메모리(URAM; Unified Random Access Memory) | - |
dc.title | 융합 메모리 소자, 융합 메모리 소자의 제조방법 및 동작방법 | - |
dc.title.alternative | UNIFIED RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE, MANUFACTURING METHOD AND OPERATING METHOD OF UNIFIED RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 김성호 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2008-0123751 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0997906-0000 | - |
dc.date.application | 2008-12-08 | - |
dc.date.registration | 2010-11-26 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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