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(A) study on uniformity of polishing rate in the chemical-mechanical polishing(CMP) of SiO2 thin film = 실리콘 산화막 CMP에서 연마속도 균일도 향상에 관한 연구link Kim, Jin-Hyuck; 김진혁; et al, 한국과학기술원, 2000 |
CMP의 기계적 공정 변수가 반도체 표면 평탄화의 균일도에 미치는 영향 = A effect of the mechanical factors on the uniformity in the chemical-mechanical polishing(CMP) of $SiO_2$ thin filmlink 김우찬; Kim, Woo-Chan; et al, 한국과학기술원, 1996 |
Slurry thickness에 따른 CMP modeling에 관한 연구 = A study on the modeling of chemical-mechanical polishing (CMP) depending on slurry thicknesslink 김우찬; Kim, Woo-Chan; et al, 한국과학기술원, 2003 |
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