질소 도핑된 그라핀, 이를 포함하는 울트라캐패시터 및 이의 제조방법

Abstract

본 발명의 질소 도핑된 그라핀은 탄소 원자 중 적어도 하나가 질소로 치환되고, 질소 도핑은 피리딘 유사 배열, 피롤 유사 배열 또는 그라파이트 유사 배열로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에서는 단순한 플라즈마 도핑 공정을 통하여 질소 도핑된 그라핀 울트라캐패시터를 개발하였다. 이러한 간단한 도핑 공정은 본래의 그라핀에 비교하여 약 4배의 정전 용량 향상을 가져올 뿐 아니라, 전기 이중층에서의 정전기적 상호작용에 기초한 고유의 저장 메커니즘을 이용하여 싸이클 수명을 크게 향상시킬 수 있었다.