질소 도핑된 그라핀, 이를 포함하는 울트라캐패시터 및 이의 제조방법Nitrogen-doped graphene, ultracapacitor using the same and doping methode of the same
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최장욱 | ko |
| dc.contributor.author | 강정구 | ko |
| dc.contributor.author | 정형모 | ko |
| dc.date.accessioned | 2019-04-15T16:00:19Z | - |
| dc.date.available | 2019-04-15T16:00:19Z | - |
| dc.date.issued | 2018-08-02 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/255567 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명의 질소 도핑된 그라핀은 탄소 원자 중 적어도 하나가 질소로 치환되고, 질소 도핑은 피리딘 유사 배열, 피롤 유사 배열 또는 그라파이트 유사 배열로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에서는 단순한 플라즈마 도핑 공정을 통하여 질소 도핑된 그라핀 울트라캐패시터를 개발하였다. 이러한 간단한 도핑 공정은 본래의 그라핀에 비교하여 약 4배의 정전 용량 향상을 가져올 뿐 아니라, 전기 이중층에서의 정전기적 상호작용에 기초한 고유의 저장 메커니즘을 이용하여 싸이클 수명을 크게 향상시킬 수 있었다. | - |
| dc.title | 질소 도핑된 그라핀, 이를 포함하는 울트라캐패시터 및 이의 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | Nitrogen-doped graphene, ultracapacitor using the same and doping methode of the same | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최장욱 | - |
| dc.contributor.localauthor | 강정구 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 정형모 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2011-0085202 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1886871-0000 | - |
| dc.date.application | 2011-08-25 | - |
| dc.date.registration | 2018-08-02 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
- Appears in Collection
- EEW-Patent(특허)
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.