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0.4 J/10 ns/10 kHz-4 kW coherent beam combined laser using stimulated Brillouin scattering phase conjugation mirrors for industrial applications

Kong, Hong-Jin; Park, Sangwoo; Cha, Seongwoo; Kim, Jomsool, PHYSICA STATUS SOLIDI (C) Current Topics in Solid State Physics, v.10, no.6, pp.962 - 966, 2013-06

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0.4-0.6 Tm 온도영역에서 Ni-Cu 이원합금들의 정상상태 creep 특성에 관한 연구 = Steady state creep characteristics of Ni-Cu binary solid solution alloys in the temperature range of 0.4-0.6 Tmlink

이준정; Yi, Joon-Jeong; et al, 한국과학기술원, 1979

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0.4J/10kHz/10ns (4kW) coherent beam combination laser using self-controlled stimulated Brillouin scattering phase conjugate mirrors (SBS-PCMs)

Kong, Hong Jin; Park, Sangwoo; Cha, Seongwoo; Kim, Jom Sool; Lee, Bong Ju, Asian Pacific Laser Symposium 2014, The laser society of Japan, 2014-04-23

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0.4J/10ns/10kHz-4kW coherent beam combined laser using SBS-PCM for industrial applications>> Dream pulsed Laser

Kong, Hong-Jin; Park, Sangwoo; Cha, Seongwoo, 8th workshop on SBS and nonlinear optics, KAIST, 2013-08-20

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0.4J/10NS/10KHZ-4KW COHERENT BEAM COMBINED LASER USING STIMULATED BRILLOUIN SCATTERING PHASE CONJUGATION MIRRORS FOR INDUSTRIAL APPLICATIONS

Kong, Hong-Jin; Park, Sangwoo; Cha, Seongwoo; Kim, Jom Sool, 6th International Conference on the Frontiers of Plasma Physics and Technology, IAEA, 2013-04-04

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0.5 and 1.5 THz Monolithic Imagers in a 65 nm CMOS Adopting a VCO-Based Signal Processing

Kim, Suna; Choi, Kyoung-Yong; Kim, Ju-Myoung; Han, Seok-Kyun; Lee, Sang-Gug, 13th IEEE Asian Solid-State Circuits Conference (A-SSCC), pp.149 - 152, IEEE, 2017-11

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0.5M NaCl 용액내에서 일어나는 고분자재료로 피복된 강의 퇴화에 관한 연구

변수일; 정인조; 문성모; 안상호, 한국재료학회지, v.6, no.10, pp.1017 - 1024, 1996

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0.5mJ @ 10kHz, <10ns 펄스출력의 단일주파수 Nd:YAG 재생증폭기

차성우; 박상우; 안희경; 이휘형; 오정석; 공홍진; 김점술; et al, Advanced Lasers and Their Applications 2014, 한국광학회 양자전자분과, 2014-05-09

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0.5um 게이트길이를 갖는 고성능 GaAs DEL-doped FET

권영세, 젊은 공학도를 위한 반도체 Workshop, 1993

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0.5보다 큰 시비율로 동작하는 전류원 하프-브릿지 컨버터의 무손실 스너버 설계

강정일; 한상규; 윤형기; 김정은; 윤명중; 김윤호, 전력전자학회 논문지, v.7, no.5, pp.405 - 412, 2002-10

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0.6 Tm 온도영역에서의 INCONEL alloy 718 에 대한 cyclic creep 특성에 관한 연구 = A study on the cyclic creep characteristics of INCONEL alloy 718 at 0.6 Tm temperature rangelink

최인식; Choi, In-Sik; et al, 한국과학기술원, 1980

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0.6 v 8.1/0.2μW Ultra-Low-Power Logarithmic Power Detectors Employing Subthreshold MOS Transistors

Kim, Keun-Mok; Seok, Hyun-Gi; Seo, Jeong-Ii; Choi, Kyung-Sik; Lee, Sang-Gug, 2021 IEEE Asian Solid-State Circuits Conference, A-SSCC 2021, Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2021-11

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0.6-2.7-Gb/s Referenceless Parallel CDR With a Stochastic Dispersion-Tolerant Frequency Acquisition Technique

Han, Jinho; Won, Hyo Sup; Bae, Hyeon-Min, IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS, v.22, no.6, pp.1219 - 1225, 2014-06

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0.7-2.7 GHz wideband CMOS low-noise amplifier for LTE application

Hidayov, O. A.; Nam, N. H.; Yoon, Giwan; Han, S. K.; Lee, Sang-Gug, ELECTRONICS LETTERS, v.49, no.23, pp.1433 - 1435, 2013-11

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0.8 GHZ LTE 통신용 낮은 jitter 노이즈를 갖는 밴드패스 시그마 디지털 수신기

강소영; 송희연; 강동민; 최현석; 박철순, 2012년 한국ITS학회 추계학술대회, 한국ITS학회, 2012-11-03

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0.8V에서 동작하는 저전력 고성능 CMOS Sub-Bandgap 기준 전압원 설계 = Design of 0.8V, low power, High-Performance CMOS sub-bandgap voltage referencelink

김명준; 조성환; et al, 한국과학기술원, 2017

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0.9Pb$(Mg{1/3}Nb{2/3})O_3$-0.1PbTiO3 세라믹스의 소결조건에 따른 유전특성 및 미세구조 = Dielectic property and microstructure of 0.9Pb$(Mg{1/3}Nb{2/3})O_3$-0.1PbTiO3 with sintering conditionlink

이봉규; Lee, Bong-Kyu; et al, 한국과학기술원, 1993

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0.9Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.1PbTiO3 세라믹스의 소결조건에 따른 유전특성 및 미세구조의 변화

김호기, 한국요업학회, 가을, 1992

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(001) Si에서 $NiSi_2$의 핵생성 초기 상태에 관한 투과전자현미경 연구

이상호; 이정용, 한국전자현미경학회지, v.24, no.4, pp.123 - 131, 1994-12

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0에 가까운 유전율을 가지는 물질을 통한 대형 그래핀 공진기의 구현 방법

장민석; 김신호

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