0.8V에서 동작하는 저전력 고성능 CMOS Sub-Bandgap 기준 전압원 설계 = Design of 0.8V, low power, High-Performance CMOS sub-bandgap voltage reference

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최근에는 CMOS 집적화에 따른 공급전압이 낮아지면서 낮은 공급전압(VDD)에서 구동되는 기준 전압원 설계가 각광을 받고 있다. 또한 Internet of Things(IoT) 어플리케이션, RFID 태그 등의 주된 설계 이슈는 저전력, 저면적 구동이기에 기준 전압원의 저전력, 저면적 구동 또한 연구가 많이 진행되고 있다. 그러나 기존의 mW-μW 급의 고전력을 기반으로 하는 기준 전압원과 달리 nW 급의 저전력 구동의 기준 전압원에서는 BJT 소자의 온도 선형성이 저하되는 문제, 공급전압 변화에 대해 민감해지는 등의 문제들이 발생하게 된다. 따라서 저전압, 저전력 구동의 기준 전압원의 설계는 온도변화, 공급전압 변화 등의 외부 요소의 변화에 둔감하게 설계하는 것이 핵심 이슈이다. 본 학위 논문의 목적은 저전압, 저전력 그리고 저면적에서 구동되는 기준 전압원 설계이며, 동시에 설계된 회로가 외부의 온도변화, 공급전압 변화 등에도 둔감한, 즉 고성능을 가지는 것이며 이를 제안한다.
Advisors
조성환researcherCho, Seong Hwanresearcher
Description
한국과학기술원 :전기및전자공학부,
Publisher
한국과학기술원
Issue Date
2017
Identifier
325007
Language
kor
Description

학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학부, 2017.2,[v, 38 :]

Keywords

저전력; 저전압; 기준전압원; 온도보상; 밴드갭; low power; low voltage; voltage reference; bandgap reference; temperature compensation

URI
http://hdl.handle.net/10203/243253
Link
http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=675358&flag=dissertation
Appears in Collection
EE-Theses_Master(석사논문)
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