DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | 조성일 | ko |
dc.contributor.author | 유진 | ko |
dc.contributor.author | 강성권 | ko |
dc.contributor.author | Da-Yuan Shin | ko |
dc.date.accessioned | 2013-03-05T04:30:50Z | - |
dc.date.available | 2013-03-05T04:30:50Z | - |
dc.date.created | 2012-02-06 | - |
dc.date.created | 2012-02-06 | - |
dc.date.issued | 2004-09 | - |
dc.identifier.citation | 마이크로전자 및 패키징학회지, v.11, no.3, pp.55 - 62 | - |
dc.identifier.issn | 1226-9360 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/85507 | - |
dc.description.abstract | 여러 가지 온도와 습도에 따라 Sn의 표면에 형성되는 산화물을 전기화학적 환원방법을 이용해 분석하였다. 전기화학적 방법을 이용하여 금속표면에 형성된 산화물을 환원시킬 때 나타나는 환원전위와 소모된 전하량을 측정하여 표면 산화물의 종류와 양을 정량적으로 분석하였다. 우선 전기화학적 환원 방법이 금속 표면 산화물의 분석에 적합한 지 알아보기 위해 여러 가지 산화물 분말의 환원 전위와 수소 발생 전위를 측정하였고, 분석을 위한 최적의 전류밀도 값을 구하였다. Sn 표면에 생성된 산화물을 분석한 결과 85oC의 건조한 환경에서 보다 T/H (Temperature/Humidity, 85oC/85% 상대습도) 조건에서 SnO 가 더 빠르게 성장하였다. 또한 T/H 조건에서 하루가 지난 이후부터는 Sn의 표면 최상층에 매우 얇은 (<10 Å) SnO2 가 형성되어 있는 것을 확인하였다. 150oC에서는 SnO와 SnO2가 같이 존재하는 것을 확인하였다. 또한 XPS와 AES 표면분석을 통하여 환원 실험 결과를 뒷받침하였다. | - |
dc.language | Korean | - |
dc.publisher | 한국마이크로전자및패키징학회 | - |
dc.title | 전기화학적 환원 분석을 통한 Sn의 산화에 대한 연구 | - |
dc.title.alternative | The Oxidation Study of Pure Tin via Electrochemical Reduction Analysis | - |
dc.type | Article | - |
dc.type.rims | ART | - |
dc.citation.volume | 11 | - |
dc.citation.issue | 3 | - |
dc.citation.beginningpage | 55 | - |
dc.citation.endingpage | 62 | - |
dc.citation.publicationname | 마이크로전자 및 패키징학회지 | - |
dc.identifier.kciid | ART000963228 | - |
dc.contributor.localauthor | 유진 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 조성일 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 강성권 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | Da-Yuan Shin | - |
dc.subject.keywordAuthor | electrochemical reduction analysis | - |
dc.subject.keywordAuthor | oxide | - |
dc.subject.keywordAuthor | tin | - |
dc.subject.keywordAuthor | electrochemical reduction analysis | - |
dc.subject.keywordAuthor | oxide | - |
dc.subject.keywordAuthor | tin | - |
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