Pd및 Pd-Rh 게이트 MOS센서의 수소및 황화수소가스에 대한 검지 특성The H2 and H2S sensing characteristics of Pd and Pd - Rh gate MOS sensor
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이창희 | ko |
| dc.contributor.author | 박종욱 | ko |
| dc.date.accessioned | 2013-03-03T08:27:47Z | - |
| dc.date.available | 2013-03-03T08:27:47Z | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.issued | 1997 | - |
| dc.identifier.citation | 한국수소및신에너지학회논문집, v.8, no.4, pp.145 - 154 | - |
| dc.identifier.issn | 1738-7264 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/77972 | - |
| dc.description.abstract | Pd, Pd-Rh 게이트 MOS센서의 H₂, H₂S 검지특성과 Pd박막의 중착조건이 감지특성에 미치는 영향에 대해서 조사하였다. rf Power의 증가와 증착온도의 증가는 모두 센서의 감도와 초기반응속도를 감소시켰으며 rf power의 변화보다는 증착온도의 변화에 의한 효과가 현저하였다. Pd-Rh 센서의 경우 순수한 Pd 센서에 비해 감도가 낮았으며 Rh의 양이 증가할수록 감도는 감소하였다. Pd-Rh 센서에서 H₂가 H₂S보다 더 뛰어난 감도를 보여주었다. rf power, 증착온도, 기판의 변화가 MOS센서의 감도나 초기반응속도 등의 센서특성에 영향을 미친다는 사실을 확인할 수 있었다. | - |
| dc.language | Korean | - |
| dc.publisher | 한국수소및신에너지학회 | - |
| dc.title | Pd및 Pd-Rh 게이트 MOS센서의 수소및 황화수소가스에 대한 검지 특성 | - |
| dc.title.alternative | The H2 and H2S sensing characteristics of Pd and Pd - Rh gate MOS sensor | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.citation.volume | 8 | - |
| dc.citation.issue | 4 | - |
| dc.citation.beginningpage | 145 | - |
| dc.citation.endingpage | 154 | - |
| dc.citation.publicationname | 한국수소및신에너지학회논문집 | - |
| dc.contributor.localauthor | 박종욱 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이창희 | - |
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