ECR 플라즈마 화학기상증착법에 의한 0.12nm SiO2 환산두께를 갖는 Pb(Zr, Ti)O3 유전박막의제조Fabrication of very thin Pb(Zr,Ti)O3 dielectric films of 0.12nm SiO2 equivalent thickness by ECR PECVD
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김재환 | ko |
| dc.contributor.author | 김용일 | ko |
| dc.contributor.author | 위당문 | ko |
| dc.contributor.author | 이원종 | ko |
| dc.date.accessioned | 2013-03-03T07:35:28Z | - |
| dc.date.available | 2013-03-03T07:35:28Z | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.issued | 1997-04 | - |
| dc.identifier.citation | 한국재료학회지, v.7, no.8, pp.635 - 639 | - |
| dc.identifier.issn | 1225-0562 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/77796 | - |
| dc.description.abstract | ECR-PECVD법을 사용하여 450-490℃이하의 온도에서 Pt/SiO2/Si기판 위에 PZT 박막을 증착하였다. 기판 온도가 460℃ 이하일 경우에는 페로브스이트 상과 제2상으로 이루어진 박막이 성장하였으며 기판온도가 470℃이상일 때에는 페로브스카이트 단일상의 PZT 박막이 성장하였다. 490℃에서 매우 얇은 페로브스카이트의 PZT 박막을 증착한 후 650℃에서 1분간 raped thermal annealing(RTA) 처리한 결과 박막의 조성과 결정성에는 거의 변화가 없었으나 박막의 전하 저장 밀도는 크게 향상되었다. 이는 RTA 처리에 의한 저유전 계면층의 소멸이 주된 이유라고 판단된다. 열처리 후 두께 40-45nm의 PZT박막은 200kV/cm의 전장 하에서 10-6cm²이하의 누설전류값을 갖고 있었으며, 인가전압 1V에서 300fF/μ㎡의 정전용량, 즉 SiO2환산두께 0.12nm를 나타내었다. | - |
| dc.language | Korean | - |
| dc.publisher | 한국재료학회 | - |
| dc.title | ECR 플라즈마 화학기상증착법에 의한 0.12nm SiO2 환산두께를 갖는 Pb(Zr, Ti)O3 유전박막의제조 | - |
| dc.title.alternative | Fabrication of very thin Pb(Zr,Ti)O3 dielectric films of 0.12nm SiO2 equivalent thickness by ECR PECVD | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.citation.volume | 7 | - |
| dc.citation.issue | 8 | - |
| dc.citation.beginningpage | 635 | - |
| dc.citation.endingpage | 639 | - |
| dc.citation.publicationname | 한국재료학회지 | - |
| dc.contributor.localauthor | 위당문 | - |
| dc.contributor.localauthor | 이원종 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김재환 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김용일 | - |
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