DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 장태웅 | ko |
dc.contributor.author | 문원 | ko |
dc.contributor.author | 백종태 | ko |
dc.contributor.author | 안병태 | ko |
dc.date.accessioned | 2013-03-02T20:57:53Z | - |
dc.date.available | 2013-03-02T20:57:53Z | - |
dc.date.created | 2012-02-06 | - |
dc.date.created | 2012-02-06 | - |
dc.date.issued | 1996-12 | - |
dc.identifier.citation | 한국재료학회지, v.6, no.3, pp.333 - 340 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/75489 | - |
dc.description.abstract | p-type(100) 실리콘 기판과 TiN(50nm)/Si 기판에 dimethylethylamine alane(DMEAA)을 반응소스로 하여 알루미늄을 증착시켜 증착온도와 유량, 반송가스 종류에 따른 방향성, 증착속도, 미세구조 변화에 대해 연구하였다. 알루미늄의 증착속도는 기판온도, 반송가스 종류 및 유량에 따라 100-650mn/min으로 다양하게 조절되었다. DMEAA의 증착 활성화에너지는 TiN 기판에서는 약 0.leV이었고 Si와 SiO2 기판에서는 각각 약 0.23eV, 0.24eV이었다. 알루미늄 박막의 방향성은 증착속도의 감소에 따라 (200)에서 (111)방향으로 변하였다. 증착된 알루미늄 박막의 불순물 함량은 산소의 경우 0.2at%, 탄소의 경우 1.8at.%이었다. DMEAA 소스에 의한 알루미늄의 증착속도는 반송가스가 Ar 일 때 보다 H2 가스를 사용하면 증착속도가 크게 증가하였으며 이는 반송가스에 의해 SiO2표면의 흡착 H 농도가 증가하고 흡착 H가 소스 가스와 반응하여 핵생성 site 로 작용하는 것으로 생각된다. 알루미늄 박막의 비저항은 표면 미세조직에 크게 영향을 받으며 그 값은 약 3-7μΩcm이었다. | - |
dc.language | Korean | - |
dc.publisher | 한국재료학회 | - |
dc.title | DMEAA 소스로 기상화학증착된 알루미늄 박막의 증착특성 | - |
dc.title.alternative | Properties of Alumin Films Deposited CVD using DMEAA | - |
dc.type | Article | - |
dc.type.rims | ART | - |
dc.citation.volume | 6 | - |
dc.citation.issue | 3 | - |
dc.citation.beginningpage | 333 | - |
dc.citation.endingpage | 340 | - |
dc.citation.publicationname | 한국재료학회지 | - |
dc.contributor.localauthor | 안병태 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 장태웅 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 문원 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 백종태 | - |
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