CF4 플라즈마에서 반응성 이온식각한 알루미늄 박막의 표면분석

Abstract

CF4 플라즈마 분위기에서 반응성 이온식각된 알루미늄의 표면을 XPS 분석하였다. 알루미늄의 표면에AlF3가 형성되었으며 표면에서의 깊이가 깊어질수록 Al - F 결합에 의한 Al2p peak 강도가 감소하고 금속 알루미늄 결합에 의한 Al2p peak 강도가 증가하였다. 입자의 충돌에 의해서 표면원자들이 mixing 됨으로써 알루미늄의 표면에 50~100 Å 정도의 두께를 가진 AlFx 층이 형성되는 것으로 분석되었다. 같은 조건에서 반응성 이온식각된 알루미늄 산화막의 경우에는 mixing 효과가 알루미늄보다 작으므로 상대적으로 얕은 범위(10~20 Å)에서 F가 O를 치환하여 AlFx층이 형성되었다.