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65
SOI NMOSFET에서 Edge효과 감소를 위한 LOCOS공정

김충기, 한국반도체학술대회, pp.209 - 210, 1994

66
Surface Treatment Effects on the Electrical Properties of the Interfaces between ZnS and LPE-grown Hg0.7Cd0.3Te

Lee, Hee Chul; Kim, Choong Ki; Lee, SH, The 1997 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, pp.0 - 0, 1997-10-01

67
Surface-micromachined tunable microgyroscope

Lee, KB; Yoon, Jun-Bo; Kang, MS; Cho, YH; Youn, Sung-Kie; Kim, Choong Ki, Proceedings of the 1996 IEEE Conference on Emerging Technologies and Factory Automation, v.2, pp.498 - 502, 1996-11-18

68
Tapered Side-Wall Schottky Diodes with Very Low Taper Angles

Kim, Choong Ki; Kwon, Young Se, International Conference on Solid State Devices and Materials, pp.81 - 82, 1982

69
The Effect of Si-SiO2 Interface on the Excess Point Defect Distribution in Silicon

Kim, Choong Ki, Symposium on Semiconductor Processing,ASTM/SEMI Meeting, pp.283 - 293, 1984

70
Threshold Voltage Shift Due to the Change of Impurity Type of Polysilicon in Heavily Doped Polysilicon Gate MOSFET

Kim, Choong Ki, International Symposium on VLSI Technology,Systems and Applications, pp.170 - 173, 1983

71
Two-Dimensional Analysis of Latch-Up Phenomena in Latch-Up-Free Self-Aligned IGBT Structures

김충기, International Symposium on Power Electronics, 1989

72
Two-Step Rapid Thermal Diffusion of Phosphorus into Silicon from a Solid diffusion Source

김충기, Technical Digest International Conference on VLSI and CAD, 1989

73
Uniform and Simultaneous Fabrication of High-Precision and High-Density Nozzles, Channels, and Cavities for Inkjet Printheads

Yoon, Jun-Bo; Kim, Choong Ki; Yoon, Euisik; Han, Chul-Hi, Proceedings of the SPIE symposium on Micromachining and Microfabrication: Materials and Device Characterization in micromachining, v.3511, pp.214 - 224, 1998-09

74
ZnS/p-HgCdTe 의 계면 특성을 개선 시키기 위한 표면처리

김충기; 이희철; 정재홍; 정한; 김관, HgCdTe 반도체 Conference, pp.369 - 386, 1992

75
고속 열처리(RTA)에 의한 Au/p-HgCdTe 의 접촉저항 감소

김충기, HgCdTe 반도체 Conference, pp.321 - 331, 1992

76
광전압형 HgCdTe 적외선 감지소자 제작 현황 및 문제점

김충기; 이희철; 정재홍; 정한; 김관; 송정섭, 제 2회 HgCdTe 반도체 Conference, pp.267 - 292, 1991

77
단순구조의 p-HgCdTe/n-HgCdTe 이중접합을 이용한 두가지 색(two color) 적외선 탐지소자

김충기, HgCdTe 반도체 Conference, 1996

78
램프 가열 방식의 LPCVD 장비의 설계 및 제작

김충기; 하용민; 김태성, 대한전기학회 추계학술대회, 1991

79
매몰된 Island 구조를 갖는 SOI MOSFET 소자의 제안

김충기, 대한전기학회 하계학술회의, 1992

80
반도체 전력소자에서 에피층의 여유설계 방법

김충기; 서강덕, 대한전기학회 전기재료연구회 학술발표회, 1990

81
불순물 농도에 따른 산화막 성장률의 차이를 이용한 자기 정렬된 금속게이트 CMOS 구조

김충기, 대한전자공학회 CAD, 반도체, 재료 및 부품연구회 합동학술발표회, 1988

82
상위 게이트(Top gate) 다결정 실리콘 박막 트렌지스터의 수소화 기구

김충기, 한국반도체학술대회, pp.431 - 432, 1994

83
수소 plasma를 이용한 Hg0.78Cd0.22Te 적외선 감지소자의 특성향상

이희철; 김영호; 배수호; 김충기, 제 8회 HgCdTe 반도체 Conference, pp.71 - 75, 1997

84
얇은 박막 SOI(Silicon-On-Insulator)MOSFET 에서의 소자 변수 추출 방법

김충기, 대한전기학회 하계학술회의, 1992

85
열영상 구현을 구한 Hg0.7Cd0.3Te 1*128 선행다소자 적외선 감지소자의 제작

이희철; 김영호; 이성훈; 김충기; 김흥국; 김재묵, 제 2회 한국반도체 학술대회, pp.413 - 414, 1995

86
열영상을 위한 Hg-.7Cd0.3Te 128x1 적외선 감지소자 어레이 및 실리콘 Readout 회로 제작

이희철; 이성훈; 윤난영; 배수호; 신형철; 김충기, 국방소재 학술대회, pp.47 - 60, 1996-11-01

87
열처리 조건에 따른 Implant된 HgCdTe의 접합특성

김충기; 정희찬; 정한; 이희철, 한국반도체학술대회, pp.371 - 372, 1994

88
열처리에 의한 HgCdTe 적외선 감지소자의 접합특성 향상

이희철; 김관; 정희찬; 이성훈; 김영호; 박승만; 김충기, HgCdTe 반도체 Conference, pp.93 - 98, 1994-11-01

89
유도결합 플라즈마를 이용한 수소화가 Hg0.7Cd0.3Te 소자특성에 미치는 영향

이희철; 김충기; 이성훈; 김영호; 김관, 제 6회 HgCdTe 반도체 Conference, pp.115 - 119, 1995

90
인듐 확산에 의해 제작된 HgCdTe 다이오드의 전기적 특성

이희철; 박승만; 김재묵; 김충기, 제 6회 HgCdTe 반도체 Conference, pp.49 - 56, 1995

91
저전력 BDI READOUT 회로 설계

이희철; 김충기; 김대기; 김병혁; 윤난영, 제 6회 한국반도체 학술대회, pp.177 - 178, 1999

92
적외선 감지를 위한 MCT 다이오드의 제작에 관한 연구

김충기, 반도체 Conference, pp.121 - 143, 1990

93
전력 VDMOS 에서의 Quasisaturation 전류에 대한 고찰

김충기, 대한전자공학회 CAD, 반도체, 재료 및 부품연구회 합동학술발표회, 1988

94
전하평형개념을 이용한 SOI NMOSFET의 부유기판 전압 모델링

김충기, 한국반도체학술대회, pp.215 - 216, 1994

95
초미세 나노양자구조 제작: HgCdTe-SET 트랜지스터 기반연구

이희철; 김충기; 이철희; 최중범; 육종설; 이성재; 박경완, 제 8회 HgCdTe 반도체 Conference, pp.25 - 28, 1997

96
텅스텐 할로겐 램프를 사용한 ZMR 공정의 매개변수 최적화에 관한 연구

김충기, 한국재료학회 학술발표회, 1991

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