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First-principles study on defects related to the instability of MOSFET and TFT devices = 제일원리 계산을 통한 MOSFET 및 TFT 소자의 불안정성 관련 결함에 대한 연구link Noh, Hyeon-Kyun; 노현균; et al, 한국과학기술원, 2013 |
First-principles study on the mechanism for boron diffusion at SiGe/SiO$_2$ interfaces. = 제일원리 계산을 통한 규소게르마늄-규소산화물 계면에서의 붕소 확산 메카니즘 연구link Lee, Chang-Hwi; 이창휘; et al, 한국과학기술원, 2014 |
Schottky barrier height at TiN/HfO2 interface and B segregation mechanism at Si/SiO2 interface = TiN/HfO2 계면의 쇼트키 장벽과 Si/SiO2 계면의 붕소 확산 메카니즘 연구link Oh, Young Jun; 오영준; et al, 한국과학기술원, 2015 |
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