Hot-Wire CVD 방법을 이용한 (100) Si과 다결정 Si 씨앗층에서의 저온 에피택셜 Si 성장에 관한 연구low-temperature growth of epitaxial Si on (100) Si and poly-Si seed layer using hot-wire CVD
- Advisors
- 안병태researcher; Ahn, Byung-Taeresearcher
- Description
- 한국과학기술원 : 신소재공학과,
- Publisher
- 한국과학기술원
- Issue Date
- 2008
- Identifier
- 303610/325007 / 020045196
- Language
- kor
- Description
학위논문(박사) - 한국과학기술원 : 신소재공학과, 2008. 8., [ x, 171 p. ]
- Keywords
열선화학기상증착법; 에피택셜 실리콘; 저온 에피택셜 성장; 다결정 실리콘 씨앗층; 박막트랜지스터; hot wire CVD; epitaxial Si; low-temperature epitaxial growth; poly-Si seed layer; thin film transistor
- Appears in Collection
- MS-Theses_Ph.D.(박사논문)
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