DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.advisor | 안병태 | - |
dc.contributor.advisor | Ahn, Byung-Tae | - |
dc.contributor.author | 이승렬 | - |
dc.contributor.author | Lee, Seung-Ryul | - |
dc.date.accessioned | 2011-12-15 | - |
dc.date.available | 2011-12-15 | - |
dc.date.issued | 2008 | - |
dc.identifier.uri | http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=303610&flag=dissertation | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/49855 | - |
dc.description | 학위논문(박사) - 한국과학기술원 : 신소재공학과, 2008. 8., [ x, 171 p. ] | - |
dc.language | kor | - |
dc.publisher | 한국과학기술원 | - |
dc.subject | 열선화학기상증착법 | - |
dc.subject | 에피택셜 실리콘 | - |
dc.subject | 저온 에피택셜 성장 | - |
dc.subject | 다결정 실리콘 씨앗층 | - |
dc.subject | 박막트랜지스터 | - |
dc.subject | hot wire CVD | - |
dc.subject | epitaxial Si | - |
dc.subject | low-temperature epitaxial growth | - |
dc.subject | poly-Si seed layer | - |
dc.subject | thin film transistor | - |
dc.title | Hot-Wire CVD 방법을 이용한 (100) Si과 다결정 Si 씨앗층에서의 저온 에피택셜 Si 성장에 관한 연구 | - |
dc.title.alternative | low-temperature growth of epitaxial Si on (100) Si and poly-Si seed layer using hot-wire CVD | - |
dc.type | Thesis(Ph.D) | - |
dc.identifier.CNRN | 303610/325007 | - |
dc.description.department | 한국과학기술원 : 신소재공학과, | - |
dc.identifier.uid | 020045196 | - |
dc.contributor.localauthor | 이승렬 | - |
dc.contributor.localauthor | Lee, Seung-Ryul | - |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.