수증기압을 조절할 수 있는 습식산화장치를 제작하고 그것을 사용하여 AlAs와 $Al_xGa_{1-x}As$를 습식산화시켰다. 폐관 습식산화장치는 기존의 개관 습식산화장치보다 측면 산화율이 빨라졌다. 그리고 개관 습식산화장치에선 산화를 할 수 없었던 100Å 두께의 AlAs를 폐관 습식산화장치로는 산화를 할 수 있다. 300Å두께의 AlAs의 측면 산화율이 두께가 444Å인 $Al_{0.9}Ga_{0.1}As$의 산화율 보다 425℃ 6배 빨랐다. 또한 실험으로 구한 측면 산화율은 Koley와 M. Dagenais가 계산한 결과와 일치함을 확인하였다.