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College of Natural Sciences(자연과학대학)Dept. of Physics(물리학과)PH-Theses_Master(석사논문)

습식산화장치의 제작과 $Al_xGa_{1-x}As$의 산화특성 연구Construction of wet thermal oxidation chamber and study on oxidation characteristic of $Al_xGa_{1-x}As$

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dc.contributor.advisor이용희-
dc.contributor.advisorLee, Yong-Hee-
dc.contributor.author백종화-
dc.contributor.authorBaek, Jong-Hwa-
dc.date.accessioned2011-12-14T07:55:07Z-
dc.date.available2011-12-14T07:55:07Z-
dc.date.issued1999-
dc.identifier.urihttp://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=151552&flag=dissertation-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/48490-
dc.description학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 물리학과, 1999.2, [ ii, 43 p. ]-
dc.description.abstract수증기압을 조절할 수 있는 습식산화장치를 제작하고 그것을 사용하여 AlAs와 $Al_xGa_{1-x}As$를 습식산화시켰다. 폐관 습식산화장치는 기존의 개관 습식산화장치보다 측면 산화율이 빨라졌다. 그리고 개관 습식산화장치에선 산화를 할 수 없었던 100Å 두께의 AlAs를 폐관 습식산화장치로는 산화를 할 수 있다. 300Å두께의 AlAs의 측면 산화율이 두께가 444Å인 $Al_{0.9}Ga_{0.1}As$의 산화율 보다 425℃ 6배 빨랐다. 또한 실험으로 구한 측면 산화율은 Koley와 M. Dagenais가 계산한 결과와 일치함을 확인하였다.kor
dc.languagekor-
dc.publisher한국과학기술원-
dc.subject산화율-
dc.subjectVCSEL-
dc.subject습식산화-
dc.subject산화막구경-
dc.subject수직공진표면광레이저-
dc.subjectWet thermal oxidation-
dc.subjectOxidation rate-
dc.subjectOxide aperture-
dc.title습식산화장치의 제작과 $Al_xGa_{1-x}As$의 산화특성 연구-
dc.title.alternativeConstruction of wet thermal oxidation chamber and study on oxidation characteristic of $Al_xGa_{1-x}As$-
dc.typeThesis(Master)-
dc.identifier.CNRN151552/325007-
dc.description.department한국과학기술원 : 물리학과, -
dc.identifier.uid000973315-
dc.contributor.localauthor백종화-
dc.contributor.localauthorBaek, Jong-Hwa-
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