습식산화장치의 제작과 $Al_xGa_{1-x}As$의 산화특성 연구Construction of wet thermal oxidation chamber and study on oxidation characteristic of $Al_xGa_{1-x}As$
수증기압을 조절할 수 있는 습식산화장치를 제작하고 그것을 사용하여 AlAs와 $Al_xGa_{1-x}As$를 습식산화시켰다. 폐관 습식산화장치는 기존의 개관 습식산화장치보다 측면 산화율이 빨라졌다. 그리고 개관 습식산화장치에선 산화를 할 수 없었던 100Å 두께의 AlAs를 폐관 습식산화장치로는 산화를 할 수 있다. 300Å두께의 AlAs의 측면 산화율이 두께가 444Å인 $Al_{0.9}Ga_{0.1}As$의 산화율 보다 425℃ 6배 빨랐다. 또한 실험으로 구한 측면 산화율은 Koley와 M. Dagenais가 계산한 결과와 일치함을 확인하였다.
- Advisors
- 이용희researcher; Lee, Yong-Heeresearcher
- Description
- 한국과학기술원 : 물리학과,
- Publisher
- 한국과학기술원
- Issue Date
- 1999
- Identifier
- 151552/325007 / 000973315
- Language
- kor
- Description
학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 물리학과, 1999.2, [ ii, 43 p. ]
- Keywords
산화율; VCSEL; 습식산화; 산화막구경; 수직공진표면광레이저; Wet thermal oxidation; Oxidation rate; Oxide aperture
- Appears in Collection
- PH-Theses_Master(석사논문)
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