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Enhancement of Operation Efficiency in Charge Trap Memory Using Antiferroelectric HfZrO2 신성원; 신의중; 이승환; 이태인; 김민주; 안현준; 황완식; et al, 제27회 한국반도체학술대회, 연세대학교, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2020-02-13 |
Flash memory 소자에서 Anti-Ferroelectric 물질을 이용한 capacitance 부스팅 신성원; 신의중; 조병진, 대한전자공학회 2021년도 하계종합학술대회, 대한전자공학회, 2021-06-30 |
Leakage current Improvement of Anti-ferroelectric capacitor with Bottom electrode annealing 이승환; 김성호; 안현준; 김태호; 신성원; 조병진, 제27회 한국반도체학술대회, 연세대학교, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2020-02-13 |
Reliability Improvement of Charge Trap Flash Memory Cell with Sealing Oxide in Fluorine Incorporation 이승환; 이태윤; 안현준; 이태인; 신의중; 신성원; 조병진, 제26회 한국반도체학술대회, DB하이텍, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2019-02-14 |
Superior Carrier Mobility of Ge MOSFETs Depending on Channel Orientation with EOT of 0.57 nm Using Y-ZrO2/GeOx/Ge Stack 이태인; Nguyen, Manh-Cuong; 김민주; 안현준; 신의중; 이승환; 신성원; et al, 제27회 한국반도체학술대회, 연세대학교, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2020-02-13 |
Y 도핑된 ZrO2 고유전율 박막을 이용한 0.67 nm의 EOT와 매우 낮은 누설 전류를 가지는 Ge 기반 게이트 구조 이태인; 김민주; 안현준; 신의중; 이승환; 신성원; 황완식; et al, 제26회 한국반도체학술대회, DB하이텍, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2019-02-15 |
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