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College of Engineering(공과대학)School of Electrical Engineering(전기및전자공학부)EE-Conference Papers(학술회의논문)

Y 도핑된 ZrO2 고유전율 박막을 이용한 0.67 nm의 EOT와 매우 낮은 누설 전류를 가지는 Ge 기반 게이트 구조

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이태인 / 김민주 / 안현준 / 신의중 / 이승환 / 신성원 / 황완식 / 유현용 / 조병진researcher
Publisher
DB하이텍, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합
Issue Date
2019-02-15
Language
Korean
Citation

제26회 한국반도체학술대회

URI
http://hdl.handle.net/10203/251874
Appears in Collection
EE-Conference Papers(학술회의논문)
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