3차원 집적형 고주파 혼성 회로 구조체 및 그의 제조 방법STRUCTURE OF MONOLITHIC THREE-DIMENSIONAL HIGH-FREQUENCY MIXED SIGNAL INTEGRATED-CIRCUIT, AND FABRICATION METHOD OF THE SAME
다양한 실시예들은 3차원 집적형 고주파 혼성 회로 구조체 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 고주파 혼성 회로 구조체는 디지털 기능의 제 1 회로 구조, 및 제 1 회로 구조 상에 집적되는 아날로그 기능의 제 2 회로 구조를 포함한다. 다양한 실시예들에 따르면, 제 1 회로 구조는 실리콘 시모스(Si CMOS)로 구현되고, 제 2 회로 구조는 제 1 회로 구조 상에 집적되고 RF 수동 소자들을 포함하는 연결 레이어, 및 연결 레이어 상에 집적되고 RF 능동 소자들을 포함하며 Ⅲ-V족 화합물로 구현되는 구동 레이어를 포함할 수 있다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2022-02-23
- Application Number
- 10-2022-0023464
- Registration Date
- 2025-12-02
- Registration Number
- 10-2896801-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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