반도체-초전도체 전이 트랜지스터Transistor using semiconductor-superconductor transition materials
본 발명에 따른 반도체-초전도체 전이 트랜지스터는 기판 상에 존재하는 제1 전극; 상기 제1 전극과 이격된 제2 전극; 상기 제1 전극으로부터 상기 제2 전극으로 연장되는 반도체-초전도체 전이층; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 이격된 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극과 상기 반도체-초전도체 전이층 사이에 배치된 강유전체층을 포함한다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2011-05-23
- Application Number
- 10-2011-0048233
- Registration Date
- 2013-02-13
- Registration Number
- 10-1234870-0000
- Appears in Collection
- PH-Patent(특허)
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