반도체-초전도체 전이 트랜지스터Transistor using semiconductor-superconductor transition materials
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 염도준 | ko |
| dc.contributor.author | 이준규 | ko |
| dc.contributor.author | 곽기성 | ko |
| dc.contributor.author | 이원기 | ko |
| dc.date.accessioned | 2024-05-27T11:00:44Z | - |
| dc.date.available | 2024-05-27T11:00:44Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/319544 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명에 따른 반도체-초전도체 전이 트랜지스터는 기판 상에 존재하는 제1 전극; 상기 제1 전극과 이격된 제2 전극; 상기 제1 전극으로부터 상기 제2 전극으로 연장되는 반도체-초전도체 전이층; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 이격된 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극과 상기 반도체-초전도체 전이층 사이에 배치된 강유전체층을 포함한다. | - |
| dc.title | 반도체-초전도체 전이 트랜지스터 | - |
| dc.title.alternative | Transistor using semiconductor-superconductor transition materials | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 염도준 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2011-0048233 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1234870-0000 | - |
| dc.date.application | 2011-05-23 | - |
| dc.date.registration | 2013-02-13 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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