강유전체 전계효과 트랜지스터 기반의 비휘발성 다수결 함수 로직-인-메모리NONVOLATILE MAJORITY FUNCTION LOGIC-IN-MEMORY BASED ON FERROELECTRIC FIELD EFFECT TRANSISTOR
비휘발성 다수결 함수 로직-인-메모리가 개시된다. 일 실시예에 따르면, 비휘발성 다수결 함수 로직-인-메모리는, 강유전체 전계효과 트랜지스터(Ferroelectric Field Effect Transistor; FeFET)를 포함하고, 상기 강유전체 전계효과 트랜지스터의 게이트에는 복수의 강유전체 커패시터들이 연결되는 것을 특징으로 할 수 있다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2021-09-27
- Application Number
- 10-2021-0126837
- Registration Date
- 2024-04-02
- Registration Number
- 10-2655202-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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