메모리 컨트롤러, 반도체 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법MEMORY CONTROLLER, SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM AND OPERATING METHOD THEREOF

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각 메모리 셀들로부터 리드된 제1데이터에 기초한 경판정 오류 정정 디코딩이 실패한 경우, 각 메모리 셀들로부터 제2데이터를 리드하는 단계; 및 상기 각 메모리 셀들로부터 리드된 제1 및 2데이터 및 상기 각 메모리 셀들에 이웃한 각 메모리 셀들로부터 리드된 제1 및 2데이터에 기초한 상기 각 메모리 셀들로부터 리드된 상기 제1데이터의 로그 우도 비(LLR : Log Likelihood Ratio)를 이용하여 연판정 오류 정정 디코딩을 수행하는 단계를 포함하는 컨트롤러의 동작 방법을 제공한다.
Assignee
한국과학기술원, 에스케이하이닉스 주식회사
Country
KO (South Korea)
Application Date
2016-08-12
Application Number
10-2016-0102985
Registration Date
2023-12-20
Registration Number
10-2617832-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/318470
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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