양자광 소자 및 이의 제조방법

Abstract

본 발명은 양자광 소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 기판; 상기 기판 상에 형성된 n-형 질화갈륨 반도체층; 및 상기 n-형 질화갈륨 반도체층 상의 적어도 일부분에 형성된 나노 구조체층을 포함하고, 상기 나노 구조체층은, 나노 구조체; 및 상기 나노 구조체 및 상기 n-형 질화갈륨 반도체의 적어도 일부분을 덮는 금속층을 포함하고, 상기 나노 구조체는 원뿔 또는 다각형뿔 형상의 상단을 갖는 나노 구조체이며, 상기 상단의 적어도 일부분에 양자구조로 이루어진 활성층을 포함하는 양자광 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 상기 양자광 소자는 양자구조의 광추출 효율이 높고, 양자구조와 나노공진기의 결합이 용이하여 양자광 소자의 생산 효율을 향상시킬 수 있다.