DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 조용훈 | ko |
dc.contributor.author | 공수현 | ko |
dc.date.accessioned | 2024-02-22T09:01:04Z | - |
dc.date.available | 2024-02-22T09:01:04Z | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/318199 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 양자광 소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 기판; 상기 기판 상에 형성된 n-형 질화갈륨 반도체층; 및 상기 n-형 질화갈륨 반도체층 상의 적어도 일부분에 형성된 나노 구조체층을 포함하고, 상기 나노 구조체층은, 나노 구조체; 및 상기 나노 구조체 및 상기 n-형 질화갈륨 반도체의 적어도 일부분을 덮는 금속층을 포함하고, 상기 나노 구조체는 원뿔 또는 다각형뿔 형상의 상단을 갖는 나노 구조체이며, 상기 상단의 적어도 일부분에 양자구조로 이루어진 활성층을 포함하는 양자광 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 상기 양자광 소자는 양자구조의 광추출 효율이 높고, 양자구조와 나노공진기의 결합이 용이하여 양자광 소자의 생산 효율을 향상시킬 수 있다. | - |
dc.title | 양자광 소자 및 이의 제조방법 | - |
dc.title.alternative | Quantum Optical Device and its manufacturing method | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 조용훈 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 공수현 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2016-0050952 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1733350-0000 | - |
dc.date.application | 2016-04-26 | - |
dc.date.registration | 2017-04-27 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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