DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 정성윤 | ko |
dc.contributor.author | 안지상 | ko |
dc.date.accessioned | 2024-01-12T07:01:45Z | - |
dc.date.available | 2024-01-12T07:01:45Z | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/317793 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 티탄산 바륨 바탕의 세라믹으로 구성되어 있는 결정립 벌크들 및 결정립 벌크들의 계면으로 이루어진 입계를 포함하며, 도펀트에 의해 조성이 제어된 입계의 구조를 가지는 다결정 세라믹 유전체를 제공한다. 한편, 도펀트를 통한 5 nm 이하 수준의 입계 조성 제어 및 나노 크기의 미립한 티탄산 바륨 바탕의 세라믹 전구체 사용을 통하여 다결정체 내 입계 구조의 전기적 중성화 및 강유전성 조절에 따른 원활한 분극 반응을 나타낼 수 있었다. 따라서, 본 발명은 넓은 주파수 영역에서 높은 비유전율 및 낮은 유전 손실의 유전 특성, 전계에 따른 비유전율의 낮은 변화 감소폭, 높은 온도 안정성, 환원 소성에서의 비환원성 및 이에 따른 높은 절연 저항 지니는 다결정 세라믹 유전체 및 그 제조 방법을 제공한다. | - |
dc.title | 고유전율 및 저유전손실을 가지는 세라믹 유전체 및 이의 제조 방법 | - |
dc.title.alternative | CERAMIC DIELECTRICS WITH HIGH PERMITTIVITY AND LOW DIELECTRIC LOSS AND PREPARATION METHOD | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 정성윤 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2021-0100616 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2620993-0000 | - |
dc.date.application | 2021-07-30 | - |
dc.date.registration | 2023-12-29 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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